[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的多个第一导电半导体层；

在所述多个第一导电半导体层之间形成的多个凹透镜部；

在所述多个第一导电半导体层上的有源层；和

在所述有源层上的至少一个导电半导体层，

其中所述多个第一导电半导体层包括在所述有源层下方的第二氮化物 层和在所述第二氮化物层下方的第一氮化物层，

其中所述第一氮化物层的折射率小于所述第二氮化物层的折射率，并 且所述第一氮化物层的折射率为2.12～2.44，

其中所述第一氮化物层的含Al的量大于所述第二氮化物层的含Al的 量，

其中所述多个凹透镜部设置在第一氮化物层中并且距离所述第一氮化 物层的顶表面具有预定深度，

其中所述凹透镜部中包含导电或不导电材料，

其中所述多个凹透镜部相对于所述有源层布置为凸透镜形式，

其中所述第一氮化物层的厚度为1～100μm，所述第一氮化物层的厚度 至少厚于所述凹透镜部的深度，

其中所述第二氮化物层具有薄于所述第一氮化物层的厚度，

其中所述多个凹透镜部的上表面形成在与所述第一氮化物层的顶表面 相同的平面上，

其中所述凹透镜部中的每一个具有距离所述第一氮化物层的顶表面 1-3μm的深度，

其中所述衬底的顶表面具有由所述衬底形成的多个凸部，

其中所述多个凹透镜部与所述衬底的多个凸部对应。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一氮化物层由与所 述第二氮化物层不同的材料形成。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述多个凹透镜部包含 SiO₂、ITO、Al₂O₃和Si中的至少其一。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述凹透镜部通过使相邻 的凹透镜部接触而连续形成。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述凹透镜 部形成有彼此不同的曲率。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个凹透镜部中的每 一个具有1-3μm的直径。