[发明专利]粘接剂组合物、使用了粘接剂组合物的粘接构件、半导体搭载用支承构件、半导体装置以及、其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880022607.2 申请日: 2008-07-03
公开(公告)号: CN101688104A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 乡丰;宫内一浩;井上隆;高原淳;阵内浩司 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: C09J201/00 分类号: C09J201/00;C09J7/02;C09J133/00;C09J163/00;H01L21/52
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱 丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 粘接剂 组合 使用 构件 半导体 搭载 支承 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种粘接剂组合物,其是将在5~40℃的温度下不分离且均匀地相容混合的热固性树脂成分A、高分子量成分B和固化剂成分C作为必含成分的粘接剂组合物,在该粘接剂组合物与被粘附物接触之后以及所述热固性树脂成分A发生固化之后,在所述粘接剂组合物中,分离成所述热固性树脂成分A的浓度高于周围的粒子状结构,而且在与所述被粘附物接触的组合物表面附近形成的所述粒子状结构多于所述粘接剂组合物的内部。

2.一种粘接剂组合物,其是将在5~40℃的温度下不分离且均匀地相容混合的热固性树脂成分A、高分子量成分B和固化剂成分C作为必含成分的粘接剂组合物,在该粘接剂组合物与被粘附物接触之后以及所述热固性树脂成分A发生固化之后,在所述粘接剂组合物中,分离成所述热固性树脂成分A的浓度高于周围的粒子状结构,而且在与所述被粘附物接触的组合物表面附近形成的所述粒子状结构多于所述粘接剂组合物的内部,

在剥离所述被粘附物时,在与所述被粘附物接触的组合物表面附近形成的粒子状结构的周围的、高分子量成分B浓度高的区域的一部分具有在膨胀应力的作用下产生空孔的性质。

3.一种粘接剂组合物,其是将在5~40℃的温度下不分离且均匀地相容混合的热固性树脂成分A、高分子量成分B和固化剂成分C作为必含成分的粘接剂组合物,在该粘接剂组合物与被粘附物接触之后及所述热固性树脂成分A发生固化之后,在所述粘接剂组合物中,分离成所述热固性树脂成分A的浓度高于周围的粒子状结构,而且在与所述被粘附物接触的组合物表面附近形成的所述粒子状结构多于所述粘接剂组合物的内部,

在剥离所述被粘附物时,在与所述被粘附物接触的组合物表面附近形成的粒子状结构的一部分具有发生塑性变形而细化的性质。

4.根据权利要求2或3所述的粘接剂组合物,其特征在于,

在剥离所述被粘附物时,在与所述被粘附物接触的组合物表面附近形成的粒子状结构的周围的、高分子量成分B浓度高的区域的一部分具有在膨胀应力的作用下产生空孔的性质,而且在与所述被粘附物接触的组合物表面附近形成的粒子状结构的一部分具有发生塑性变形而细化的性质。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的粘接剂组合物,其中,

在所述固化后的接触剂组合物的相对被粘附物的垂直截面中,将所述粒子状结构相对其它区域的面积分率设为AF,所述粒子状结构的平均直径设为D1,进而距与所述被粘附物接触的组合物表面的距离为0~D1的区域的面积分率设为AF1,距与所述被粘附物接触的组合物表面的距离为D1~D1×2的区域的面积分率设为AF2时,具有AF1/AF2>1.05的关系。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的粘接剂组合物,其特征在于,

在与所述被粘附物接触之后且所述接触剂组合物发生固化之前,所述热固性树脂成分A及/或固化剂成分C,所述平均直径D1,在距与所述被粘附物接触的组合物表面的距离为0~D1的区域的浓度高于距与所述被粘附物接触的组合物表面的距离为D1~D1×2的区域。

7.一种粘接剂组合物,其是将在5~40℃的温度下不分离且均匀地相容混合的热固性树脂成分A、高分子量成分B和固化剂成分C作为必含成分的粘接剂组合物,所述粘接剂组合物具有如下性质:

在该粘接剂组合物与被粘附物接触之后及所述热固性树脂成分A发生固化之后,在所述粘接剂组合物中,分离成如下所述的结构及区域,

所述热固性树脂成分A的浓度高于周围而且平均直径为D1的粒子状结构a1、

在该粒子状结构a1中存在且具有小于所述平均直径D1的平均直径D2而且所述热固性树脂成分A的浓度高于所述粒子状结构a1的粒子状结构a2、

在所述粒子状结构a1中存在且所述高分子量成分B的浓度高于所述粒子状结构a1的、所述粒子状结构a2以外的区域b3、

所述高分子量成分B的浓度高于所述粒子状结构a1的区域b2、以及

具有小于所述平均直径D1的平均直径D6而且所述热固性树脂成分A的浓度高于所述区域b2的粒子状结构a4。

8.根据权利要求7所述的粘接剂组合物,其中,

所述平均直径D2及/或所述平均直径D6相对所述平均直径D1为1~30%。

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