[发明专利]复合氧化物烧结体、非晶复合氧化膜及其制造方法和晶体复合氧化膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200880022676.3 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101687708A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 生泽正克;矢作政隆;长田幸三;挂野崇 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 氧化物 烧结 氧化 及其 制造 方法 晶体 | ||
1.一种复合氧化物烧结体，其特征在于，实质上由铟、锡、钙、 镁和氧构成，含有以Sn/(In+Sn+Ca+Mg)的原子数比计比例为5～15％ 的锡、以(Ca+Mg)/(In+Sn+Ca+Mg)的原子数比计总比例为0.1～2.0％ 的钙和镁，余量由铟和氧构成，该烧结体的电阻率为0.2mΩcm以下。
2.一种非晶复合氧化膜的制造方法，其特征在于，通过溅射权利 要求1所述的复合氧化物烧结体，制造相同组成的非晶膜。
3.一种非晶复合氧化膜，其特征在于，实质上由铟、锡、钙、镁 和氧构成，含有以Sn/(In+Sn+Ca+Mg)的原子数比计比例为5～15％的 锡、以(Ca+Mg)/(In+Sn+Ca+Mg)的原子数比计总比例为0.1～2.0％的 钙和镁，余量由铟和氧构成。
4.一种晶体复合氧化膜的制造方法，其特征在于，在制造非晶复 合氧化膜后，通过在260℃以下的温度下退火使该膜晶化，所述非晶复 合氧化膜实质上由铟、锡、钙、镁和氧构成，含有以Sn/(In+Sn+Ca +Mg)的原子数比计比例为5～15％的锡、以(Ca+Mg)/(In+Sn+Ca+ Mg)的原子数比计总比例为0.1～2.0％的钙和镁，余量由铟和氧构成。
5.一种晶体复合氧化膜，其特征在于，实质上由铟、锡、钙、镁 和氧构成，含有以Sn/(In+Sn+Ca+Mg)的原子数比计比例为5～15％的 锡、以(Ca+Mg)/(In+Sn+Ca+Mg)的原子数比计总比例为0.1～2.0％的 钙和镁，余量由铟和氧构成。
6.如权利要求5所述的晶体复合氧化膜，其特征在于，膜的电阻 率为0.4mΩcm以下。
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