[发明专利]发光纳米复合颗粒

权利要求书

1.一种用于制造无机发光层的方法，包括：

(a)将用于半导体纳米颗粒生长的溶剂、核/壳量子点的溶液、以 及半导体纳米颗粒前体组合以形成混合物；

(b)生长半导体纳米颗粒以形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、 以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的粗溶液；

(c)形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量 子点的半导体纳米颗粒的单胶态分散体；

(d)沉积所述单胶态分散体以形成膜；以及

(e)对该膜进行退火以形成所述无机发光层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，用于半导体纳米颗粒生长的 溶剂是配位溶剂。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体纳米颗粒前体包 括第一前体和第二前体，并且步骤(a)包括将用于半导体纳米颗粒 生长的溶剂与核/壳量子点和第一前体组合，加热至100℃或更高的温 度，并添加第二前体。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述生长步骤包括加热，使 所述混合物经受提高的压力，或向混合物提供微波能，或以上各项的 组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中步骤(b)还包括用沸点低于 200℃的有机配体来执行配体交换以覆盖核/壳量子点、半导体纳米颗 粒、以及连接到核/壳量子点的半导体纳米颗粒的表面。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述核/壳量子点的核包括 第IV、III-V、IV-VI、或II-VI类半导体材料。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述连接到核/壳量子点的 半导体纳米颗粒包括第一半导体材料且所述核/壳量子点的壳包括第 二半导体材料，并且其中，所述第一半导体材料的带隙能级在所述第 二半导体材料的带隙能级的0.2ev以内。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述核/壳量子点的壳包括 第IV、III-V、IV-VI、或II-VI类半导体材料。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述核/壳量子点包括包含 Cd_xZn_1-xSe的核，其中x在0与1之间，且所述壳包含选自由Zn、S、 和Se及它们的组合组成的组的元素。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述核/壳量子点包括具有 足够的厚度以便将导带电子或价带空穴约束于核区的壳，并且其中， 在这样被约束时，电子或空穴的波函数不扩展至核/壳量子点的表面。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述连接到核/壳量子点的 半导体纳米颗粒包括第IV、III-V、IV-VI、或II-VI类半导体材料。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述连接到核/壳量子点的 半导体纳米颗粒包括纳米线，其中，所述纳米线具有小于20nm的平 均直径和大于10的纵横比。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述纳米线具有小于5nm 的平均直径和大于30的纵横比。

14.如权利要求1所述的方法，还包括向所述单胶态分散体添加 包括半导体纳米线的第二胶态分散体的步骤。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述退火步骤包括在120 ℃与220℃之间的温度下的长达60分钟的时间的第一退火步骤和在 250℃与400℃之间的温度下的长达60分钟的时间的第二退火步骤。