[发明专利]半导体装置用接合线和线接合方法

权利要求书

1.一种半导体装置用接合线，具有：

以铜为主成分的芯材；和

设置在所述芯材上的、含有成分和组成的某一方或两方与所述芯材不 同的金属M和铜、且作为所述金属M的检测浓度的总计为50mol％以上 的部位的外层，

其特征在于，

所述外层其厚度为0.021～0.12μm，所述金属M以选自Au、Pd、Pt 和Rh中的一种以上为主成分，

所述以铜为主成分的芯材含有选自P、B、Ir、Zr、Bi、Ti、Au和稀 土类元素中的一种以上的元素，该元素在线整体中所占的浓度总计为 0.0001～0.03mol％的范围。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述外 层的厚度为0.021～0.095μm。

3.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述外 层含有选自Bi、P、Se和Tl中的一种以上的元素，在所述外层的最表面的 该元素浓度总计为0.01～5mol％的范围。

4.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述 外层与所述芯材之间具有扩散层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述金 属M相对于金属元素的总计的浓度为10mol％以上的区域的厚度为 0.03～0.2μm。

6.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述 外层内，所述金属M相对于金属元素的总计的浓度总计为90mol％以上的 区域的厚度为0.004～0.07μm。

7.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述 外层内，所述金属M相对于金属元素的总计的浓度总计为96mol％以上的 区域的厚度为0.002～0.06μm。

8.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述外 层的最表面的相对于金属元素的总计的铜浓度为0.5～45mol％。

9.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述 外层内，相对于金属元素的总计的铜浓度为1～30mol％的范围的区域的厚 度为0.0005～0.008μm。

10.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在线 整体中所占的、铜以外的所述金属M相对于金属元素的总计的浓度总计为 0.05～3mol％的范围。