[发明专利]背面入射型测距传感器以及测距装置

权利要求书

1.一种背面入射型测距传感器，其特征在于，

具备：

具有光入射面和与所述光入射面相反的一侧的表面的半导体基 板；

设置于所述表面上的光电栅极；

在所述表面上与所述光电栅极邻接地设置的第1和第2栅极；以 及

用于分别读取从所述光电栅极的正下方的区域流入所述第1和第 2栅极的正下方的区域的载流子的第1和第2半导体区域，

所述光电栅极的正下方的区域的导电型与所述半导体基板的导电 型相同，并且，所述光电栅极的正下方的区域由具有比所述半导体基 板的杂质浓度更高的杂质浓度的电场集中区域构成。

2.一种测距装置，其特征在于，

具备：

如权利要求1所述的背面入射型测距传感器；

射出近红外光的光源；

向所述光源赋予脉冲驱动信号的驱动电路；

向所述第1和第2栅极赋予与所述脉冲驱动信号同步的检测用栅 极信号的控制电路；以及

由从所述第1和第2半导体区域读取的信号运算到对象物为止的 距离的运算电路。

3.一种测距装置，其特征在于，

将如权利要求1所述的背面入射型测距传感器的所述表面固定于 配线基板的贴装面上，使所述光电栅极、所述第1栅极和所述第2栅 极经由凸块而连接于所述配线基板上的配线。

4.一种背面入射型测距传感器，其特征在于，

具备：

具有光入射面和与所述光入射面相反的一侧的表面的半导体基 板；

设置于所述表面上的光电栅极；

在所述表面上与所述光电栅极邻接地设置的第1和第2栅极；以 及

用于分别读取从所述光电栅极的正下方的区域流入所述第1和第 2栅极的正下方的区域的载流子的第1和第2半导体区域，

在所述半导体基板的所述光入射面一侧具有由P型半导体层或者 缺陷层构成的可见光激励载流子再结合区域。

5.如权利要求4所述的背面入射型测距传感器，其特征在于，

在以半导体基板中的可见光的吸收系数为α、以所述半导体基板的 厚度为t1、以所述可见光激励载流子再结合区域的厚度为t2的情况下， 满足以下的关系，

-(1/α)×1n(0.5)μm≤t2、

10μm≤t1≤100μm。

6.一种测距装置，其特征在于，

具备：

如权利要求4或者5所述的背面入射型测距传感器；

射出近红外光的光源；

向所述光源赋予脉冲驱动信号的驱动电路；

向所述第1和第2栅极赋予与所述脉冲驱动信号同步的检测用栅 极信号的控制电路；以及

由从所述第1和第2半导体区域读取的信号运算到对象物为止的 距离的运算电路。

7.一种测距装置，其特征在于，

将如权利要求4或者5所述的背面入射型测距传感器的所述表面 固定于配线基板的贴装面上，使所述光电栅极、所述第1栅极和所述 第2栅极经由凸块而连接于所述配线基板上的配线。