[发明专利]辐射传感器和剂量仪有效
| 申请号： | 200880023328.8 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101730853A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 阿纳托利·罗森菲尔德 | 申请（专利权）人： | 卧龙岗大学 |
| 主分类号： | G01T1/02 | 分类号： | G01T1/02;G01T7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 传感器 剂量 | ||
1.一种半导体辐射传感器，其包括：
衬底；
安装到所述衬底的载体材料；以及
安装到所述载体材料的半导体检测器；
其中，所述半导体检测器的辐射敏感部分面向所述载体材料并远离所 述衬底，并且所述载体材料适用于向所述半导体检测器的所述辐射敏感部 分传输辐射。
2.如权利要求1所述的半导体辐射传感器，其中，所述传感器适用 于在窄导管或体腔内使用，用于在活体内监测辐射剂量或剂量率。
3.如权利要求1所述的半导体辐射传感器，其中，所述传感器适用 于到电子数据收集器的物理或无线数据连接。
4.如权利要求1所述的半导体辐射传感器，其中，所述载体材料包 括柔性聚合物材料。
5.如权利要求1所述的半导体辐射传感器，其中，所述载体材料包 括聚酰胺。
6.如权利要求1所述的半导体辐射传感器，其中，所述衬底包括用 于容纳所述半导体检测器的后部的孔或凹入部。
7.如权利要求6所述的半导体辐射传感器，其中，所述后部被环氧 树脂材料所覆盖。
8.如权利要求1所述的半导体辐射传感器，其中，所述载体材料和 半导体检测器至少局部涂有聚酰胺或其他聚合物材料。
9.如权利要求1所述的半导体辐射传感器，其中，所述半导体检测 器包括平面二极管或MOSFET管芯。
10.一种辐射传感器，其包括：
可安装到衬底的载体材料；以及
安装到所述载体材料的半导体检测器；
其中，所述半导体检测器的辐射敏感部分朝着所述载体材料定位，并 远离所述衬底，所述载体材料适用于向所述半导体检测器的所述辐射敏感 部分传输辐射。
11.如权利要求10所述的辐射传感器，其中，所述载体材料包括柔 性聚合物材料。
12.如权利要求10所述的辐射传感器，其中，所述衬底包括用于容 纳所述半导体检测器的后部的孔或凹入部。
13.如权利要求10所述的辐射传感器，其中，所述载体材料和半导 体检测器至少局部涂有聚酰胺或其他聚合物材料。
14.如权利要求10所述的辐射传感器，其中，所述半导体检测器包 括平面二极管或MOSFET管芯。
15.一种剂量仪，包括如先前任意一项权利要求所述的辐射传感器。
16.一种制造辐射传感器的方法，其包括：
将半导体检测器安装到载体材料，其中所述半导体检测器的辐射敏感 部分朝着所述载体材料定位，并且所述载体材料适用于向所述半导体检测 器的所述辐射敏感部分传输辐射；以及
将所述载体材料安装在衬底上，其中半导体检测器的所述辐射敏感部 分远离所述衬底。
17.如权利要求16所述的方法，其包括通过柔性聚合物材料来形成 所述载体材料。
18.如权利要求16所述的方法，其包括在所述衬底上设置孔或凹入 部，并使所述半导体检测器的后部位于所述孔或凹入部中。
19.如权利要求16所述的方法，其包括将所述载体材料和半导体检 测器至少局部涂以聚酰胺或其他聚合物材料。
20.如权利要求16所述的方法，其中，所述半导体检测器包括平面 二极管或MOSFET管芯。
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