[发明专利]金属膜用研磨液及研磨方法有效
申请号: | 200880023332.4 | 申请日: | 2008-07-04 |
公开(公告)号: | CN101689494A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 田中孝明;深泽正人;野部茂;樱田刚史;筱田隆 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒纯丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 研磨 方法 | ||
1.一种金属膜用研磨液,其特征在于,其为用于如下研磨方法中的第2 研磨工序的金属膜用研磨液,所述研磨方法包含:研磨基板的导电性物质层使 凸部的阻挡层露出的第1研磨工序,所述基板具有表面有凹部和凸部的层间绝 缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、以及填充所述凹部并覆盖所述阻 挡层的导电性物质层;研磨在所述第1研磨工序中露出的所述基板的阻挡层而 使所述凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序,
所述金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物、氧化金属溶解剂、 金属的防腐蚀剂和水,
所述甲基丙烯酸系聚合物为甲基丙烯酸和与该甲基丙烯酸能够共聚的单 体的共聚物,
所述与甲基丙烯酸能够共聚的单体是丙烯酸或丙烯酸系酯,
所述甲基丙烯酸系聚合物的重均分子量是10万以下,
所述共聚物中的甲基丙烯酸的比例是70摩尔%以上且小于100摩尔%。
2.根据权利要求1所述的金属膜用研磨液,其特征在于,所述磨粒为选 自二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、二氧化钛、氧化锆、二氧化锗或者它们的改 性物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的金属膜用研磨液,其特征在于,还包含有机溶 剂。
4.根据权利要求1所述的金属膜用研磨液,其特征在于,还包含金属的 氧化剂。
5.根据权利要求1所述的金属膜用研磨液,其特征在于,其为用于研磨 表面具有配线密度在50%以上的配线形成部的被研磨膜的研磨液。
6.一种研磨方法,其特征在于,包含第1研磨工序和第2研磨工序;
所述第1研磨工序为如下工序:研磨基板的导电性物质层使凸部的阻挡层 露出,所述基板具有表面有凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝 缘膜的阻挡层、填充所述凹部并覆盖所述阻挡层的导电性物质层;
所述第2研磨工序为如下工序:用权利要求1~5中任一项所述的金属膜用 研磨液研磨在所述第1研磨工序中露出的所述基板的阻挡层,使所述凸部的层 间绝缘膜露出。
7.根据权利要求6所述的研磨方法,其特征在于,所述层间绝缘膜为硅 系覆膜或者有机聚合物膜。
8.根据权利要求6或者7所述的研磨方法,其特征在于,所述导电性物 质以铜作为主要成分。
9.根据权利要求6所述的研磨方法,其特征在于,所述阻挡层包含选自 钽、钽化合物、钛、钛化合物、钨、钨化合物、钌及钌化合物中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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