[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 200880023642.6 | 申请日: | 2008-07-10 |
公开(公告)号: | CN101689575A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 洪震;金宰湖;梁昶实 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其包括:
透明衬底;
第一电极及透明绝缘层,其依序堆叠于所述透明衬底的多个第一区域上方;及
第一电极、光转换层、透明绝缘层及第二电极,其依序堆叠于所述透明衬底的不 同于所述第一区域的第二区域上方。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层经形成以具有允许 穿隧及绝缘特性的厚度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层进一步形成于所述 光转换层的侧壁上方。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层连续形成于多个光 转换层的彼此间隔开的上部表面及所述侧壁上方。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层使用ZnO形成。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第二电极经形成以具有能够透 射光且用作电极的厚度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中入射到所述光转换层的所述侧壁上 的光被接收到所述太阳能电池。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其进一步包括绝缘层,所述绝缘层形成 于所述光转换层的所述侧壁上方且散射所述入射光以使所述光被吸收到所述光转换层 的所述侧壁。
9.一种太阳能电池,其包括:
透明衬底;
第一电极、透明绝缘层及第二电极,其依序堆叠于所述透明衬底的多个第一区域 上方;及
第一电极、光转换层、透明绝缘层及第二电极,其依序堆叠于所述透明衬底的不 同于所述第一区域的第二区域上方。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层经形成以具有允许 穿隧及绝缘特性的厚度。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层进一步形成于所 述光转换层的侧壁上方。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层连续形成于多个 光转换层的彼此间隔开的上部表面及侧壁上方。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池,其中所述透明绝缘层使用ZnO形成。
14.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中所述第二电极经形成以具有能够透 射光且用作电极的厚度。
15.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中入射到所述光转换层的所述侧壁上 的光被接收到所述太阳能电池。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池,其进一步包括绝缘层,所述绝缘层形 成于所述光转换层的所述侧壁上方且散射所述入射光以使所述光被吸收到所述光转换 层的所述侧壁。
17.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中所述第一区域的所述第二电极由铝 或银形成。
18.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
在衬底上方形成第一电极;
在所述第一电极上方形成光转换层并图案化所述光转换层以形成多个彼此间隔 开的经图案化光转换层;
在包含所述经图案化光转换层的所述第一电极上方形成透明绝缘层;及
在所述透明绝缘层上方形成第二电极。
19.根据权利要求18所述的方法,其中通过使用MOCVD(金属有机化学气相 沉积)工艺或溅镀工艺沉积ZnO来形成所述透明绝缘层。
20.根据权利要求18所述的方法,其中使用PECVD(等离子体增强化学气相沉 积)工艺或溅镀工艺由金属材料形成所述第二电极,且所述第二电极经形成以具有能 够透射光且用作电极的厚度。
21.根据权利要求20所述的方法,其中使用银或铝形成所述第二电极以使得所 述第二电极具有比所述经图案化光转换层小的图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的