[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、半导体制造装置和存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

将含有苯基和硅、并且不含不可避免的杂质以外的氮的有机硅烷气体活化而得到等离子体，并且在将基板的温度设定在200℃以下的状态下，将所述基板暴露在所述等离子体中，在所述基板上形成含有苯基和硅的薄膜的工序(a)；和

其后，对所述基板施加能量，使水分从所述薄膜脱离，得到低介电常数膜的工序(b)。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述形成薄膜的工序(a)包括将有机硅烷气体和氧气的混合气体活化的工序。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述使水分从薄膜脱离、得到低介电常数膜的工序(b)包括选自以下工序中的一个以上的工序：

将所述基板的温度加热至高于200℃的温度的工序、向所述基板的表面照射紫外线的工序、和将所述基板的表面暴露在使氢气活化而得到的等离子体中的工序。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述低介电常数膜的介电常数为3.2以下。

5.一种半导体装置，其特征在于，

具备利用权利要求1所述的半导体装置的制造方法得到的低介电常数膜。

6.一种半导体制造装置，其特征在于，

具备等离子体CVD装置和后处理装置，其中，

等离子体CVD装置包括：用于收容基板的处理容器；向所述处理容器内供给含有苯基和硅、并且不含不可避免的杂质以外的氮的有机硅烷气体的供给机构；在所述处理容器内，将所述有机硅烷气体活化，生成等离子体的活化机构；和用于调节所述处理装置内的处理温度的调节机构，

该等离子体CVD装置构成为，在所述处理容器中，将基板的温度保持在200℃以下，同时将所述基板暴露在所述等离子体中，在所述基板上形成薄膜，

所述后处理装置具有能量赋予机构，该能量赋予机构对利用所述等离子体CVD装置形成有薄膜的基板施加能量，

该后处理装置构成为，对所述薄膜施加能量，形成使水分从所述薄膜脱离的低介电常数膜。

7.如权利要求6所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述等离子体CVD装置还具有向所述处理容器内供给氧气的供给机构，

所述活化机构构成为，在所述处理容器内，将所述氧气与所述有机硅烷气体一起活化。

8.如权利要求6所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述后处理装置具有选自以下装置中的一个以上的装置：

将所述基板的温度加热至高于200℃的温度的装置、向所述基板的表面照射紫外线的装置、和将所述基板的表面暴露在使氢气活化而得到的等离子体中的装置。

9.如权利要求6所述的半导体制造装置，其特征在于，

还具备位于所述等离子体CVD装置和所述后处理装置之间的真空搬送模块。

10.如权利要求6所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述等离子体CVD装置和后处理装置构成为单一的装置。

11.一种存储介质，其记录有由控制半导体制造装置的控制装置执行的程序，其特征在于，

通过由所述控制装置执行所述程序，在半导体制造装置中实施包括下述工序(a)和工序(b)的半导体装置的制造方法，

工序(a)：将含有苯基和硅、并且不含不可避免的杂质以外的氮的有机硅烷气体活化而得到等离子体，并且在将基板的温度设定在200℃以下的状态下，将所述基板暴露在所述等离子体中，在所述基板上形成含有苯基和硅的薄膜；

工序(b)：其后，对所述基板施加能量，使水分从所述薄膜脱离，得到低介电常数膜。