[发明专利]离子注入机及其内部结构及在注入机中形成涂层的方法有效

专利信息
申请号: 200880023867.1 申请日: 2008-07-03
公开(公告)号: CN101730927A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 张敬翼;芮庚焕;金三雄;林容涉 申请(专利权)人: 高美科株式会社
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 段迎春
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 离子 注入 及其 内部结构 形成 涂层 方法
【权利要求书】:

1.一种离子注入机,包括

处理室,提供用于容纳基板以及在所述基板上进行离子注入处理的空间; 及

涂层,其设在所述处理室中的内壁或内部部件的表面上以防止所述基板的 污染,并且包括与设在所述处理室中的所述基板相同的材料,所述涂层包括硅;

其中所述涂层的厚度为100~1000μm并且所述涂层的平均粗糙度为4~ 8μm,所述涂层的孔隙率为2~10%。

2.一种离子注入机的内部结构,包括:

设在处理室中的内部部件,在所述处理室中对基板进行离子注入处理;及

涂层,其设在所述内部部件的表面上,并且包括与所述基板相同的材料, 所述涂层包括硅;

其中所述涂层的厚度为100~1000μm并且所述涂层的平均粗糙度为4~ 8μm,所述涂层的孔隙率为2~10%。

3.一种在离子注入机中形成涂层的方法,包括:

在处理室的内壁上形成涂层,所述涂层包括与要在所述处理室中进行离子 注入的基板相同的材料,其中所述涂层的厚度为100~1000μm;并且

调整所述涂层的表面粗糙度;

其中所述涂层的平均粗糙度为4~8μm,所述涂层的孔隙率为2~10%,并 且

形成所述涂层包括:对硅粉进行熔融;并且朝向所述处理室的所述内壁喷 射所述熔融的硅粉。

4.如权利要求3所述的方法,所述硅粉的纯度高于99%,且颗粒尺寸为30~ 100μm。

5.如权利要求3所述的方法,其中在大气压力或低于大气压力之压力下进 行所述形成涂层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高美科株式会社,未经高美科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880023867.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top