[发明专利]离子注入机及其内部结构及在注入机中形成涂层的方法有效
申请号: | 200880023867.1 | 申请日: | 2008-07-03 |
公开(公告)号: | CN101730927A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 张敬翼;芮庚焕;金三雄;林容涉 | 申请(专利权)人: | 高美科株式会社 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 及其 内部结构 形成 涂层 方法 | ||
1.一种离子注入机,包括
处理室,提供用于容纳基板以及在所述基板上进行离子注入处理的空间; 及
涂层,其设在所述处理室中的内壁或内部部件的表面上以防止所述基板的 污染,并且包括与设在所述处理室中的所述基板相同的材料,所述涂层包括硅;
其中所述涂层的厚度为100~1000μm并且所述涂层的平均粗糙度为4~ 8μm,所述涂层的孔隙率为2~10%。
2.一种离子注入机的内部结构,包括:
设在处理室中的内部部件,在所述处理室中对基板进行离子注入处理;及
涂层,其设在所述内部部件的表面上,并且包括与所述基板相同的材料, 所述涂层包括硅;
其中所述涂层的厚度为100~1000μm并且所述涂层的平均粗糙度为4~ 8μm,所述涂层的孔隙率为2~10%。
3.一种在离子注入机中形成涂层的方法,包括:
在处理室的内壁上形成涂层,所述涂层包括与要在所述处理室中进行离子 注入的基板相同的材料,其中所述涂层的厚度为100~1000μm;并且
调整所述涂层的表面粗糙度;
其中所述涂层的平均粗糙度为4~8μm,所述涂层的孔隙率为2~10%,并 且
形成所述涂层包括:对硅粉进行熔融;并且朝向所述处理室的所述内壁喷 射所述熔融的硅粉。
4.如权利要求3所述的方法,所述硅粉的纯度高于99%,且颗粒尺寸为30~ 100μm。
5.如权利要求3所述的方法,其中在大气压力或低于大气压力之压力下进 行所述形成涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造