[发明专利]低噪音磁场传感器

权利要求书

1.一种磁阻传感器，包括被称作第一俘获层的第一俘获磁化磁层 (410)、和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，所述第一俘 获层和所述敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开， 其特征在于，所述磁阻传感器进一步包括被称作第二俘获层的 第二俘获磁化磁层(450)，所述第二俘获层通过用于磁去耦的 第二隔离层(440)与所述敏感层隔开，所述第一和第二隔离 层位于所述敏感层的两侧，在没有外场的情况下，所述第一俘 获层和所述敏感层的各自的磁化基本正交，所述传感器适于使 直流电流从所述第一俘获层流向所述第二俘获层，并且，所述 第二俘获层的磁化(π₂)被定向为在所述第一俘获层的磁化方 向(π₁)和所述敏感层的磁化方向(M₀)之间的中间方向上， 在没有外场的情况下，允许极限方向。

2.一种磁阻传感器，包括被称作第一俘获层的第一俘获磁化磁层 (410)、和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，所述第一俘 获层和所述敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开， 其特征在于，所述磁阻传感器进一步包括被称作第二俘获层的 第二俘获磁化磁层(450)，所述第二俘获层通过用于磁去耦的 第二隔离层(440)与所述敏感层隔开，所述第一和第二隔离 层位于所述敏感层的两侧，在没有外场的情况下，所述第一俘 获层和所述敏感层的各自的磁化基本正交，所述传感器适于使 直流电流从第二俘获层流向第一俘获层，并且，第二俘获层的 磁化(π₂)被定向为在第一俘获层的磁化方向(π₁)和与所述 敏感层的磁化方向(M₀)相对的方向之间的中间方向上，在 没有外场的情况下，允许极限方向。

3.一种磁阻传感器，包括被称作第一俘获层的第一俘获磁化磁层 (410)、和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，所述第一俘 获层和所述敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开， 其特征在于，所述磁阻传感器进一步包括被称作第二俘获层的 第二俘获磁化磁层(450)，所述第二俘获层通过用于磁去耦的 第二隔离层(440)与所述敏感层隔开，所述第一和第二隔离 层位于所述敏感层的两侧，在没有外场的情况下，所述第一俘 获层和所述敏感层的相应磁化基本正交，所述传感器适于使直 流电流从第一俘获层流向第二俘获层，并且，所述第二俘获层 的磁化(π₂)被定向为在与第一俘获层的磁化方向(π₁)相对 的方向和与所述敏感层的磁化方向(M₀)相对的方向之间的 中间方向上，在没有外场的情况下，允许极限方向。

4.一种磁阻传感器，包括被称作第一俘获层的第一俘获磁化磁层 (410)、和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，所述第一俘 获层和所述敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开， 其特征在于，所述磁阻传感器进一步包括被称作第二俘获层的 第二俘获磁化磁层(450)，所述第二俘获层通过用于磁去耦的 第二隔离层(440)与所述敏感层隔开，所述第一和第二隔离 层位于所述敏感层的两侧，在没有外场的情况下，所述第一俘 获层和所述敏感层的各自的磁化基本正交，所述传感器适于使 直流电流从第二俘获层流向第一俘获层，并且，第二俘获层的 磁化方向(π₂)被定向为在与第一俘获层的磁化方向(π₁)相 对的方向和与所述敏感层的磁化方向(M₀)之间的中间方向 上，在没有外场的情况下，允许极限方向。

5.根据上述权利要求中任一项所述的磁阻传感器，其特征在于， 敏感层/第一隔离层/第一俘获层整体的电阻基本上大于敏感层 /第二隔离层/第二俘获层整体的电阻。

6.根据上述权利要求中任一项所述的磁阻传感器，其特征在于， 所述第一隔离层是形成隧道结的薄绝缘层。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的磁阻传感器，其特征在 于，所述第一隔离层是金属层。