[发明专利]将基板置中设置于处理室内的设备及方法

说明书

技术领域

本发明的实施例是有关于一种用以处理半导体基板的设备及方法，特别是 有关于一种用以将基板置中设置(centering)于处理室内的设备及方法。

背景技术

在化学气相沉积(Chemical vapor deposition：CVD)或等离子体辅助化学气 相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition：PECVD)的过程中，希望获 得跨越基板的均匀厚度分布，且在基板的边缘区域附近不存在有沉积现象。所 谓“边缘排除区”就是不希望存在有沉积现象的接近边缘的区域。图1A为部 分剖面图，其绘示形成于基板101上的沉积层102的理想分布。沉积层102 均匀地沉积于基板101的整个顶面上，且在边缘排除区103内并不存在有沉积 现象。很不幸地，真实的沉积分布通常与图1A所示的理想情形相去甚远。图 1B为部分剖面图，其绘示以CVD或PECVD法在基板101上形成的沉积层102a 的实际表面分布。沉积层102a通常会延伸至边缘排除区103，并且会在靠近 边缘排除区103处形成具有额外厚度的斜角边缘104。

图1C为部分剖面图，绘示根据先前技术运用遮蔽环105以防止在基板的 边缘形成沉积薄膜。通常会将遮蔽环105设置于重叠且覆盖基板101的边缘排 除区103的至少一部分的位置。因此，如图1C所示，在遮蔽环105的遮蔽下， 沉积层102b会逐渐减少。

虽然目前利用遮蔽环105可实现3.5mm宽的边缘排除区的厚度均匀性， 但由于组件尺寸日益缩小，则厚度非均匀性需要降低到2mm宽的边缘排除区。 由于边缘排除区变小，则必须更精确地安置基板101。特别是，在利用遮蔽环 105的相关技术中，必须将基板101基本上置中设置于遮蔽环105的中心轴上， 以正确地覆盖边缘排除区103。

因而，相关领域需要一种构件，其能够以一种节省成本且更精确的方式， 而将基板置中设置于处理室内。

发明内容

本发明包含一种用于将基板置中设置于处理室内的设备及其制造方法。

本发明的一具体实施例提供一种用于将基板定位于处理室内的设备，所述 设备包含：基板支撑件，其具有适以承接基板的支撑表面；以及多个置中构件， 将基板相对于基本上垂直于支撑表面的参考轴而置中设置；其中所述多个置中 构件沿着支撑表面的外围而可移动地配置，且所述多个置中构件的每一个包含 第一端部，所述第一端部接触基板的外围边缘，其中第一端部可在第一位置及 第二位置间移动，由第一位置向第二位置的移动可导致置中构件释放基板的外 围边缘，且由第二位置向第一位置的移动导致置中构件可将基板推往朝向参考 轴的方向。

本发明的另一具体实施例提供一种用于将基板置中设置于处理室内的方 法，所述方法包含：提供基板支撑件，其具有适于承接基板的支撑表面；提供 多个置中构件，其沿着以基本上垂直于支撑表面的参考轴为中心的圆而配置， 其中每一置中构件包含端部，所述端部接触基板的外围边缘，且端部可径向地 朝向及远离参考轴移动；将每一置中构件的端部径向地向外且远离参考轴移 动；将基板置于基板支撑件上，其中基板及置中构件不会接触；将每一置中构 件的端部径向地向内移动以接触基板的外围边缘而将基板置中设置；以及由置 中构件的端部来定位基板。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附 附图的详细说明如下。然而，应指出，附图仅阐明本发明的代表性具体实施例， 且因而不应将其视为本发明范围的限制，因为本发明也可适用于其它等价的具 体实施例。

图1A绘示形成于基板的外围区域上的沉积层的期望轮廓。

图1B绘示形成于基板的外围区域上的沉积层的实际轮廓

图1C绘示现有技术利用遮蔽环以防止在基板的外围区域上形成沉积层。

图2为绘示等离子体辅助化学气相沉积系统的具体实施例的概要剖面图。

图3A为绘示图2的置中指状物位于置中位置的部分放大剖面图。

图3B为绘示图2的置中指状物位于脱离位置的部分放大剖面图。

图4为绘示利用3个置中指状物以置中设置圆形基板的置中构件的具体实 施例的简化平面图。

图5为绘示具有偏心的加重部分的置中指状物的具体实施例的剖面图。