[发明专利]具有纳米结构针尖的电子发射体以及使用该电子发射体的电子柱无效
申请号: | 200880024514.3 | 申请日: | 2008-07-28 |
公开(公告)号: | CN101743607A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 金浩燮 | 申请(专利权)人: | 电子线技术院株式会社 |
主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 纳米 结构 针尖 电子 发射 以及 使用 | ||
1.一种电子发射体,该电子发射体包括:
衬底,该衬底包括形成于该衬底的预定位置的盲孔或突出部;以及
形成于该盲孔或突出部的表面上的纳米结构针尖。
2.根据权利要求1所述的电子发射体,其中所述盲孔或突出部的形状对应于电子透镜的开口或孔的形状,该电子透镜与所述电子发射体对准,而所述盲孔或突出部的大小等于或小于所述电子透镜的开口或孔的大小。
3.根据权利要求1或2所述的电子发射体,其中,采用诸如金属层的导体层、诸如硅层的半导体层、或非导电层作为所述衬底;当所述半导体层由非导电硅制成时,所述半导体层是部分高掺杂的以覆盖所述纳米结构针尖;所述非导电层具有导电部分以包围所述纳米结构针尖。
4.根据权利要求3所述的电子发射体,其中所述半导体层的高掺杂部分或所述非导电层的导电部分被用电线连接以使得外部电压单独地施加于其上。
5.根据权利要求1-4中的任一权利要求所述的电子发射体,其中所述纳米结构针尖形成于所述盲孔中,且所述纳米结构针尖位于所述衬底的上表面之下,从而在所述纳米结构针尖的周围施加相同的电压。
6.根据权利要求1-5中的任一权利要求所述的电子发射体,其中所述盲孔或突出部具有10微米或更小的厚度,并且形成膜。
7.根据权利要求1-6中的任一权利要求所述的电子发射体,其中,在所述盲孔或突出部上形成催化剂层、附着层或蚀刻层,且所述纳米结构针尖生长、附着或突出于所述催化剂层、所述附着层或所述蚀刻层上。
8.根据权利要求1-7中的任一权利要求所述的电子发射体,其中所述衬底包括两个或更多个盲孔或突出部,且在所述两个或更多个盲孔或突出部上分别设有所述纳米结构针尖。
9.一种电子束照射装置,该电子束照射装置包括根据权利要求1-8中的任一权利要求所述的电子发射体。
10.根据权利要求9所述的电子束照射装置,该电子束照射装置还包括电子透镜和偏转器,
其中所述电子透镜和所述偏转器构成电子柱,该电子柱具有与所述电子发射体的盲孔或突出部相对应的开口。
11.根据权利要求9所述的电子束照射装置,该电子束照射装置还包括源透镜、偏转器以及聚焦透镜,
其中该源透镜、该源透镜与该聚焦透镜、或者该源透镜和该偏转器及该聚焦透镜构成多重电子柱,该多重电子柱具有与从所述电子发射体发射出来的电子束的数量相对应的开口。
12.一种使用电子束照射装置来使电子发射体与电子透镜或偏转器对准的方法,其中所述电子透镜的开口或所述偏转器的开口基于根据权利要求1-8中的任一权利要求所述的电子发射体的所述盲孔或突出部的形状而加以对准。
13.根据权利要求12所述的方法,其中当纳米结构针尖并非位于所述盲孔或突出部的中央时,测量偏差值,然后根据所测量的偏差值来对准所述纳米结构针尖,以使得所述纳米结构针尖位于所述电子束照射装置的光轴上。
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