[发明专利]等离子体沉积设备

权利要求书

1.一种用于涂覆的设备，其用于通过等离子体沉积来使物品的表面涂覆有薄膜聚合物层，所述设备包括：

至少一个处理室，一个或多个物品能放入所述至少一个处理室内；

用于提供物质的装置，其用于对所述至少一个处理室提供物质，所述物质能够被形成等离子体；

等离子体形成装置，其与所述处理室相关联，所述等离子体形成装置可操作以在所述物质被提供到关联的处理室时在所述关联的处理室内建立电场以便形成等离子体，使得所述物品的表面能通过等离子体沉积而被涂覆有薄膜聚合物层；

用于提供随时间改变的电流的装置，其用于对所述等离子体形成装置提供随时间改变的电流；以及

压力改变装置，其用于选择性地控制所述处理室内的压力，以使所述室中的任何一个或多个室中的压力能独立于所述室中的另一个室中的压力被控制。

2.如权利要求1所述的设备，其中，所述等离子体形成装置包括感应装置，所述感应装置可操作以便在所述处理室内感生电场。

3.如权利要求1所述的设备，其中，所述等离子体形成装置包括电容装置，所述电容装置布置成在关联的处理室内形成电场以便形成等离子体。

4.如权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中，所述涂覆是纳米涂覆物品的表面。

4.如权利要求2所述的设备，其中，所述感应装置包括导电材料线圈。

5.如权利要求4所述的设备，其中，所述线圈被埋置在相应的所述处理室的壁中。

6.如权利要求5所述的设备，其中，所述线圈在相应的处理室的外部。

7.如前述权利要求中任一权利要求所述的设备，其中，所述处理室由电介质材料形成。

8.如前述权利要求中任一权利要求所述的设备，其中，所述处理室由传导材料制成。

9.如前述权利要求中任一权利要求所述的设备，其中，所述压力改变装置包括真空泵吸装置，所述真空泵吸装置能选择性地被放置成与所述处理室流体相通。

10.如权利要求9所述的设备，其中，所述真空泵吸装置包括高压泵吸单元以及低压泵吸单元，所述高压泵吸单元用于将压力从大气压降低到第一压力，所述低压泵吸单元用于将压力从所述第一压力降低到处理压力。

11.如权利要求9或10所述的设备，其中，所述压力控制装置包括预抽空室，所述预抽空室与所述真空泵吸装置和所述处理室串联连接，以使所述预抽空室能通过所述真空泵吸装置而保持在小于大气压的压力下，使得在所述预抽空室和所述处理室中的任何一个或多个处理室之间流体相通时，所述一个或多个处理室中的压力被降低。

12.如从属于权利要求10时的权利要求11所述的设备，其中，所述高压泵吸单元可操作以便降低所述预抽空室内的压力，并且多个所述低压泵被连接在相应的处理室和所述预抽空室之间，以便选择性地增加所述处理室中的一个或多个处理室和所述预抽空室之间的压力差。

13.如权利要求11或12所述的设备，所述预抽空室的内部体积大于所述处理室中的任何处理室的内部体积。

14.如权利要求11到13中任一权利要求所述的设备，其中，多个预抽空室与所述真空泵吸装置和所述处理室串联连接。

15.如权利要求11到14中任一权利要求所述的设备，其中，所述预抽空室能选择性地被放置成与所述处理室中的一个或多个处理室流体相通，使得所述预抽空室中的任何一个预抽空室能降低所述处理室中的任何一个处理室中的压力。

16.如前述权利要求中任一权利要求所述的设备，其中，所述多个处理室容纳在中间室内，所述中间室适合于通过所述压力控制装置而被保持在小于大气压的压力下，所述设备还包括一个或多个载荷锁定室，所述载荷锁定室适合于在大气压力和所述中间室的压力之间循环，以允许物品从所述设备的外面传递到所述中间室而不增加所述中间室中的压力。

17.如权利要求16所述的设备，其包括机器人装置，所述机器人装置可在小于大气压的压力下操作，以便将物品从所述一个或多个载荷锁定室传递到所述处理室，并在处理之后将物品传递到所述一个或多个载荷锁定室。