[发明专利]低价铌氧化物粉末、铌钽氧化物粉末及由它们制造的电容器阳极

权利要求书

1.掺杂有至少一种掺杂剂氧化物的具有式Nb_xO_y的粉末，其中x小于2 且y小于2.5x，其中所述掺杂剂氧化物为Y的氧化物、Si的氧化物、Mn的 氧化物、Al的氧化物、Ce的氧化物、或者它们的任意组合，且所述掺杂剂 氧化物具有+2或更高的阳离子化合价，且其中所述掺杂剂氧化物以0.25重 量％～2.5重量％的量存在，基于所述粉末的总重量。

2.权利要求1的粉末，其中所述粉末掺杂有Y₂O₃、SiO₂、Mn₃O₄、Mn₂O₃、 Al₂O₃、CeO₂、或它们的任意组合。

3.权利要求1～2中任一项的粉末，其中所述掺杂剂的离子尺寸在铌的 离子尺寸的10％以内。

4.权利要求1～3中任一项的粉末在制备用于电容器阳极的烧结压制体 中的用途。

5.权利要求4的用途，其中所述电容器阳极具有1.5nm/V～约3.5nm/V 的阳极化常数。

6.权利要求4的用途，其中所述电容器阳极具有介电层且所述电容器 阳极在所述介电层内没有任何场诱导结晶。

7.权利要求5的用途，其中所述电容器阳极具有介电层且所述电容器 阳极在所述介电层内没有场诱导结晶。

8.权利要求4～7中任一项的用途，其中所述阳极中直径大于1μm的孔 的总体积为0.010mL/g或更大。

9.权利要求4～7中任一项的用途，其中所述电容器阳极具有60,000CV/g ～75,000CV/g的电容。

10.权利要求8的用途，其中所述电容器阳极具有60,000CV/g～ 75,000CV/g的电容。

11.权利要求1的粉末，其中x为1且y小于2。