[发明专利]一种电阻改变存储器设备及其编程方法有效
申请号: | 200880024973.1 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101755306A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 户田春希;中井弘人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;周良玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电阻 改变 存储器 设备 及其 编程 方法 | ||
1.一种对电阻改变存储器设备进行编程的方法,包括:
向存储器基元施加编程电压脉冲,用于编程从多个电阻数值 中挑选出的一个目标电阻数值,;
设定各编程电压脉冲之间的热弛豫时间;并且
根据由先前编程电压脉冲施加所决定的当前基元的电阻数 值,控制每个编程电压脉冲的形状,其中:
多个电阻数值段被边界电阻数值所定义,这些边界电阻数值 被设定在所述多个电阻数值之间的各边界处作为参考电阻数值, 并且其中
通过判断在施加每个编程电压脉冲之后,基元的电阻数值是 否达到所述目标电阻数值,来控制编程电压脉冲的脉冲宽度。
2.根据权利要求1的方法,其中
如此执行数据编程,使得设定在初始数值的存储器基元根据 通过编程电压脉冲施加在存储器基元中所产生的焦耳热,而具有 高于该初始数值的目标电阻数值,并且其中
如此控制每个编程电压脉冲的脉冲宽度,使得焦耳热在特定 范围内。
3.根据权利要求1的方法,其中
如此执行数据编程,使得设定在初始数值的存储器基元根据 通过编程电压施加所获得的基元电压,而具有低于该初始数值的 目标电阻数值,并且其中
如此控制每个编程电压脉冲的脉冲宽度,使得基元电压积分 数值在特定范围内。
4.根据权利要求1的方法,其中
多个电阻器被布置,它们被设定在各边界电阻数值,其中之 一被选择作为在编程验证时间使用的参考电阻。
5.根据权利要求1的方法,其中
多个电阻器被布置为可并联的,每个都被设定在特定电阻数 值,其并联数目被选择为使得并联数目的多个电阻器构成在编程 验证时间使用的参考电阻。
6.根据权利要求1的方法,还包括:
在施加每个编程电压之后,通过差分读出放大器验证基元电 阻数值是否已经达到目标电阻数值,该放大器被准备用来比较基 元的电流与参考电阻的电流。
7.根据权利要求2的方法,其中,
通过边界电阻数值R0,R1,R2,R3和R4定义五个电阻数值段, 其中R0>R1>R2>R3>R4,并且,根据基元的电阻数值R属于哪一 个电阻数值段,如下选择编程电压脉冲的脉冲宽度τ1,τ2,τ3,τ4,其 中τ4<τ3<τ2<τ1:如果R0>R Rl,则使用脉冲宽度τl,如果 R1>R R2,则使用脉冲宽度τ2,如果R2>R≥R3,则使用脉冲 宽度τ3,以及如果R3>R,则使用脉冲宽度τ4,并且其中,
在存储器基元中产生的焦耳热在特定范围内的状况下,存储 器基元从初始数值被编程到目标电阻数值。
8.根据权利要求3的方法,其中
通过边界电阻数值R0、R1、R2、R3和R4定义五个电阻数 值段,其中R0>R1>R2>R3>R4,并且,根据基元的电阻数值R属 于哪一个电阻数值段,如下选择编程电压脉冲的脉冲宽度τ1,τ2, τ3,τ4,其中τ4<τ3<τ2<τ1:如果R≥R0,则使用脉冲宽度τ4,如 果R0>R Rl,则使用脉冲宽度τ3,如果R1>R≥R2,则使用脉冲 宽度τ2,以及如果R2>R,则使用脉冲宽度τl,并且其中,
在基元的电压积分数值在特定范围内的状况下,存储器基元 从初始数值被编程到目标电阻数值。
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