[发明专利]成膜装置、成膜方法、存储介质及气体供给装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，具备：

处理容器，

配置在所述处理容器内且用于载置基板的载置台，以及

与所述载置台相对地配置且具有设有供给第一处理气体的第一气 体供给孔、供给第二处理气体的第二气体供给孔和供给第三处理气体的 第三气体供给孔的气体供给面的气体喷头；

所述气体供给面被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元 区划，在构成该单元区划的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气 体供给孔、所述第二气体供给孔和所述第三气体供给孔，

所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体各自互 不相同，使第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应，在 所述基板的表面形成薄膜。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

自所述第一气体供给孔供给的第一处理气体含有锶化合物，

自所述第二气体供给孔供给的第二处理气体含有钛化合物，

自所述第三气体供给孔供给的第三处理气体是与锶化合物和钛化 合物发生反应的氧化气体，

在所述基板的表面上形成的薄膜是钛酸锶。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述氧化气体是 臭氧气体或水蒸气。

4.一种成膜方法，其特征在于，具备：

在处理容器内配置的载置台上载置基板的载置工序，

自气体喷头供给气体的气体供给工序，所述气体喷头与所述载置台 相对地配置且被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元区划，在 构成该单元区划的各正三角形的三个顶点分别设有第一气体供给孔、第 二气体供给孔和第三气体供给孔；

所述气体供给工序具有供给第一处理气体的第一处理气体供给工 序、供给第二处理气体的第二处理气体供给工序、以及供给第三处理气 体的第三处理气体供给工序，

所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体各自互 不相同，使第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应，在 所述基板的表面形成薄膜。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

在所述第一气体供给工序中供给的第一处理气体含有锶化合物，

在所述第二气体供给工序中供给的第二处理气体含有钛化合物，

在所述第三气体供给工序中供给的第三处理气体是与锶化合物和 钛化合物发生反应的氧化气体，

在所述基板的表面上形成由钛酸锶构成的薄膜。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，所述氧化气体是 臭氧气体或水蒸气。

7.一种气体供给装置，其特征在于，具备：

用于导入第一处理气体的第一导入口，

用于导入第二处理气体的第二导入口，

用于导入第三处理气体的第三导入口，

用于将由所述第一导入口导入的所述第一处理气体供给到基板的 第一气体供给孔，

用于将由所述第二导入口导入的所述第二处理气体供给到基板的 第二气体供给孔，

用于将由所述第三导入口导入的所述第三处理气体供给到基板的 第三气体供给孔，以及

以如下方式构成的气体流路结构部：自所述第一导入口导入的所述 第一处理气体、自所述第二导入口导入的所述第二处理气体和自所述第 三导入口导入的所述第三处理气体分别从所述第一气体供给孔、第二气 体供给孔和第三气体供给孔独立地喷出；

所述第一气体供给孔、第二气体供给孔和第三气体供给孔设置在气 体供给面上，

所述气体供给面被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元 区划，在构成该单元区划的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气 体供给孔、所述第二气体供给孔和所述第三气体供给孔，

所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体各自互 不相同，使第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应，在 所述基板的表面形成薄膜。