[发明专利]太阳能电池以及形成该太阳能电池的方法和设备

权利要求书

1.一种在基板上形成太阳能电池器件的方法，包含：

沉积二或多层在第一基板上，其中沉积该二或多层的步骤包括：

在处理腔室内形成本征层在该第一基板的表面上，及

形成第一掺杂层于该形成在该第一基板上的本征层上，

在沉积该二或多层于该第一基板上之后，钝化设置在该处理腔室的处理区中的腔室部件的表面，其中钝化该腔室部件的表面的步骤包括沉积包含硅的钝化层在该腔室部件的表面上，

沉积二或多层在第二基板上，其中沉积该二或多层的步骤包括：

形成本征层在该处理腔室中的第二基板的表面上；及

形成第一掺杂层于该形成在该第二基板上的本征层上；及

在沉积该二或多层于该第一和第二基板上之后，干燥该腔室部件的表面，其中干燥该腔室部件的表面的步骤包括：

以清洁气体自该腔室部件移除一定量的材料；及

沉积包含有硅的干燥层在该腔室部件的该表面上。

2.如权利要求1所述的方法，其中该掺杂层包括含有p-型硅的层或含有n-型硅的层。

3.如权利要求1所述的方法，其中该钝化层包含含有p-型或n-型非晶硅的层。

4.如权利要求1所述的方法，还包含：

在沉积该本征层于该第一或第二基板上之前，在另一处理腔室中沉积第二掺杂层于该第一或第二基板上，其中该第二掺杂层所包含的掺杂原子与该第一掺杂层中的掺杂原子为相反类型；和

在沉积该第二掺杂层于该第一或第二基板上之后，将另一处理腔室中处理区内的腔室部件的表面加以干燥，其中干燥该腔室部件的表面的步骤包含：

以清洁气体自配置于该另一处理腔室中的腔室部件移除一定量的材料；及

沉积包含有硅的干燥层于配置于该另一处理腔室中的腔室部件的表面上。

5.一种在基板上形成太阳能电池器件的方法，包含：

在第一处理腔室内处理多个基板，其中在该第一处理腔室中处理多个基板的步骤包括：

沉积多个第一层于第一腔室部件及多个基板上，其中当该多个第一层中的一层是沉积在该多个基板中的一个基板上时，该第一腔室部件和该多个基板中的一基板是位在该第一处理腔室的该处理区中，且

当该多个基板已被处理后，干燥位在该第一处理腔室的该处理区内的该第一腔室部件的表面，其中干燥该第一腔室部件的表面的步骤包括：

以清洁气体移除一定量的沉积在该第一腔室部件上的多个第一层的至少一部分，及

沉积包含有硅的第二层于该第一腔室部件的该表面上，及

在第二处理腔室内处理该多个基板，其中在第二处理腔室内处理该多个基板的步骤包含：

沉积一或多个第三层于位于该第二处理腔室的处理区中的第二腔室部件上及形成在该多个基板之一上的第一层上，及

当完成该一或多个第三层的沉积后，钝化位在该处理区内的该第二腔室部件的表面，其中钝化该第二腔室部件的表面的步骤包括沉积包含有硅的第四层在该第二腔室部件的该表面上。

6.如权利要求5所述的方法，其中该一或多个第三层包含内含本征硅的层。

7.如权利要求5所述的方法，其中干燥该第一腔室部件的表面的步骤还包含：在移除至少一部分该第一层中的多个层之后，及沉积该第二层之前，使用清洗气体来清洗该第一处理腔室内的该处理区。

8.如权利要求5所述的方法，其中沉积在该第一处理腔室或该第二处理腔室的该干燥层包含内含非晶硅的层。

9.一种形成太阳能电池器件的方法，包含：

自位于第一处理腔室的处理区中的腔室部件的表面上移除一定量的沉积材料，

以清洗气体清洗该第一处理腔室的该处理区，

沉积干燥层在该腔室部件的表面上，其中该干燥层包含硅，

待该干燥层被沉积在该腔室部件上之后，将基板放置在该处理区的基板支撑件上，及

在该基板的表面上沉积一或多层，以形成一部分太阳能电池器件。

10.如权利要求9所述的方法，还包含在沉积该干燥层之前，移除该腔室部件的表面上的材料，其通过将该表面暴露在反应性气体及RF产生等离子体下来达成，其中该反应性气体包含含氟气体。

11.如权利要求9所述的方法，其中清洗该处理区的步骤包含在该处理区内形成含氢等离子体。