[发明专利]碳化硅单晶的生长方法有效
| 申请号： | 200880025381.1 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101796227A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 寺岛由纪夫;藤原靖幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅单晶的生长方法，使碳化硅单晶与在石墨坩埚内被加热 的熔化了Si的熔融液接触从而使碳化硅单晶在单晶基板上生长，该生长方 法的特征在于，使所述碳化硅单晶从向所述熔融液内添加了Cr和X元素的 Si-Cr-X-C熔融液析出和生长，其中X为Ni和Co之中的至少一种，作为总组 成中的Cr和X元素的比例为下述范围：Cr为30～70原子％、X为1～25原子 ％。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其中，以比例为3～7原子％的范 围添加X。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其中，将Si、Cr和X作为原料添 加到石墨坩埚中，使原料熔化，加热至比生成的合金的固相线温度高的温 度，调制所述熔融液。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其中，所述熔融液中的C的至少 一部分是从所述石墨坩埚熔化到熔融液中的。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其中，由石墨坩埚供给全部的C。
6.根据权利要求1所述的生长方法，其中，所述单晶基板具有与作为 目标的碳化硅相同的晶形。
7.根据权利要求1所述的生长方法，其中，被用于块状单晶的生长。
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