[发明专利]半导体存储器中的可编程芯片使能和芯片地址

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器的方法，包括：

将多个非易失性存储器芯片和控制器封装在存储器封装中，所述存储器 封装包括耦接到所述控制器和所述非易失性存储器芯片的每个的公共芯片 使能线，响应于在所述公共芯片使能线上提供的芯片使能信号来使能所述多 个非易失性存储器芯片，每个非易失性存储器芯片包括芯片使能管脚、选择 电路以及耦接在所述芯片使能管脚和所述选择电路之间的一个或多个可编 程电路，在所述芯片使能管脚上接收所述芯片使能信号；

在所述封装之后，确定所述多个非易失性存储器芯片中的所述非易失性 存储器芯片是否是有缺陷的；以及

如果在所述确定期间确定所述多个非易失性存储器芯片的特定存储器 芯片是有缺陷的，则将所述特定存储器芯片隔离于响应于所述芯片使能信号 被使能，所述将所述特定存储器芯片隔离包括编程所述一个或多个可编程电 路以覆盖所述芯片使能信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

编程所述一个或多个可编程电路以覆盖所述芯片使能信号包括编程所 述一个或多个可编程电路以独立于所述芯片使能信号从所述芯片使能管脚 向所述选择电路提供基本恒定的偏置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述一个或多个可编程电路是一个或多个第一可编程电路；

每个存储器芯片还包括一个或多个器件选择管脚和一个或多个第二可 编程电路的组，所述一个或多个器件选择管脚耦接到一个或多个焊盘的组， 所述一个或多个第二可编程电路耦接在所述一个或多个器件选择管脚和所 述选择电路之间；

所述方法还包括使用所述一个或多个焊盘的组的预定配置来定义所述 存储器芯片的每个的唯一地址，每个存储器芯片的所述选择电路将从所述控 制器接收的地址与在所述一个或多个器件选择管脚的组上接收的所述唯一 地址相比较，以确定是否要选择所述每个存储器芯片。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述方法还包括如果确定所述特定存储器芯片是有缺陷的，则将第二存 储器芯片的所述唯一地址用不同的地址替代，所述替代包括配置所述第二存 储器芯片的所述一个或多个第二可编程电路，来向所述第二存储器芯片的所 述选择电路提供所述不同的地址，以取代从所述焊盘的组经由所述一个或多 个器件选择管脚接收的所述唯一地址。

5.根据权利要求4所述的方法，其中配置所述第二存储器芯片的所述 一个或多个第二可编程电路包括：

编程一个或多个熔丝来定义所述不同的地址，所述不同的地址从所述一 个或多个熔丝提供给所述选择电路，并且覆盖从所述焊盘的组接收的所述唯 一地址。

6.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述一个或多个第一可编程电路是一个或多个熔丝。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一个或多个熔丝包括反熔丝、 激光熔丝和电可吹断熔丝中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述存储器芯片的每个包括非易失性NAND存储器阵列。

9.一种非易失性存储器系统，包括：

多个非易失性存储器芯片，每个包括多个非易失性存储元件和一个或多 个芯片使能管脚，每个存储器芯片的所述一个或多个芯片使能管脚耦接到公 共线；

与所述公共线通信的控制器；

响应于所述公共线上由所述控制器提供的芯片使能信号的、在每个存储 器芯片上的选择电路，每个选择电路响应于所述芯片使能信号来使能相应的 存储器芯片；以及

每个芯片上的一个或多个可编程电路的组，所述可编程电路的组与相应 的存储器芯片的芯片使能管脚和选择电路通信，所述可编程电路的组在封装 所述非易失性存储器系统之后是可配置的，以将相应的存储器芯片隔离于响 应于所述芯片使能信号被使能。