[发明专利]陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物无效
申请号: | 200880100035.5 | 申请日: | 2008-07-18 |
公开(公告)号: | CN101754938A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 铃木利幸;宫内泰治;金田功 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/20 | 分类号: | C04B35/20;H01L23/15;H05K1/03 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 及其 制造 方法 以及 电介质 瓷器 组合 | ||
1.一种陶瓷基板,其特征在于:
是含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成、热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上的陶瓷基板,
按大于0且25体积%以下的比例含有ZnAl2O4。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板,其特征在于:
ZnAl2O4的含量为5体积%~20体积%。
3.一种陶瓷基板,其特征在于:
是含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成、热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上的陶瓷基板,
按大于0且7体积%以下的比例含有Al2O3。
4.根据权利要求3所述的陶瓷基板,其特征在于:
Al2O3的含量为1体积%~7体积%。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的陶瓷基板,其特征在于:
在所述主要组成中,在以Mg2SiO4作为主成分的同时,含有ZnO、B2O3、CuO以及RO作为低温烧成成分,其中,R表示碱土类金属;
在将所述Mg2SiO4的质量作为a、ZnO的质量作为b、B2O3的质量作为c、CuO的质量作为d以及RO的质量作为e的时候,ZnO的质量b相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例b/(a+b+c+d+e)为8%~20%,B2O3的质量c相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例c/(a+b+c+d+e)为3%~10%,CuO的质量d相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例d/(a+b+c+d+e)为2%~8%,RO的质量e相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例e/(a+b+c+d+e)为1%~4%。
6.一种陶瓷基板的制造方法,其特征在于:
相对于含有Mg2SiO4以及低温烧成成分的主要组成,按大于0且7体积%以下的比例添加平均粒径为1.0μm以下的Al2O3,并且在电极熔点以下的温度下进行烧成。
7.一种电介质瓷器组合物,其特征在于:
含有Mg2SiO4作为主成分,
并含有锌氧化物、硼氧化物、碱土类金属氧化物、铜化合物以及锂化合物作为副成分。
8.根据权利要求8所述的电介质瓷器组合物,其特征在于:
在将所述锂化合物的质量换算成LiO2的情况下,所述锂化合物的含有率c相对于电介质瓷器组合物的全体为0.38质量%≤c≤1.2质量%。
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