[发明专利]陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物无效

专利信息
申请号: 200880100035.5 申请日: 2008-07-18
公开(公告)号: CN101754938A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 铃木利幸;宫内泰治;金田功 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/20 分类号: C04B35/20;H01L23/15;H05K1/03
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 及其 制造 方法 以及 电介质 瓷器 组合
【权利要求书】:

1.一种陶瓷基板,其特征在于:

是含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成、热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上的陶瓷基板,

按大于0且25体积%以下的比例含有ZnAl2O4

2.根据权利要求1所述的陶瓷基板,其特征在于:

ZnAl2O4的含量为5体积%~20体积%。

3.一种陶瓷基板,其特征在于:

是含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成、热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上的陶瓷基板,

按大于0且7体积%以下的比例含有Al2O3

4.根据权利要求3所述的陶瓷基板,其特征在于:

Al2O3的含量为1体积%~7体积%。

5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的陶瓷基板,其特征在于:

在所述主要组成中,在以Mg2SiO4作为主成分的同时,含有ZnO、B2O3、CuO以及RO作为低温烧成成分,其中,R表示碱土类金属;

在将所述Mg2SiO4的质量作为a、ZnO的质量作为b、B2O3的质量作为c、CuO的质量作为d以及RO的质量作为e的时候,ZnO的质量b相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例b/(a+b+c+d+e)为8%~20%,B2O3的质量c相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例c/(a+b+c+d+e)为3%~10%,CuO的质量d相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例d/(a+b+c+d+e)为2%~8%,RO的质量e相对于全体质量(a+b+c+d+e)的比例e/(a+b+c+d+e)为1%~4%。

6.一种陶瓷基板的制造方法,其特征在于:

相对于含有Mg2SiO4以及低温烧成成分的主要组成,按大于0且7体积%以下的比例添加平均粒径为1.0μm以下的Al2O3,并且在电极熔点以下的温度下进行烧成。

7.一种电介质瓷器组合物,其特征在于:

含有Mg2SiO4作为主成分,

并含有锌氧化物、硼氧化物、碱土类金属氧化物、铜化合物以及锂化合物作为副成分。

8.根据权利要求8所述的电介质瓷器组合物,其特征在于:

在将所述锂化合物的质量换算成LiO2的情况下,所述锂化合物的含有率c相对于电介质瓷器组合物的全体为0.38质量%≤c≤1.2质量%。

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