[发明专利]在晶圆上沉积薄膜的反应器

权利要求书

1.一种沉积薄膜的装置，其特征在于包括：

反应器；

基板支撑单元，可转动地安装于所述反应器内部并设有多个基板承载部分，所述多个基板承载部分上分别装载多个基板；

气体注入单元，包括多个源气体注入器，以提供至少二种不同的源气体至所述基板支撑单元上，且多个冲洗气体注入器设置于所述多个源气体注入器之间，以提供冲洗所述源气体的冲洗气体至所述基板支撑单元上，所述多个源气体注入器及所述多个冲洗气体注入器径向地安装在所述基板支撑单元上；

排气单元，呈环状设置以围绕所述基板支撑单元的外周，且所述排气单元包括：排气通道，具有多个排气口以引导并将所述至少二种源气体排出至反应器外部，以及多个隔板，安装于所述排气通道内且将所述排气通道区隔为多个彼此隔离的排气通路，藉此以不同路径而将所述多个源气体注入器所提供的所述至少二种源气体排出至所述外部；以及

多个泵，分别连接于所述排气通路，以将分别引入至所述排气通路内的所述气体排出至所述反应器的外部。

2.根据权利要求1所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中以所述反应器的外壁、环形底部以及环形内壁来围绕并形成所述排气通道，所述环形底部从所述反应器的外壁朝向所述基板支撑单元而延伸，所述环形内壁设置于所述基板支撑单元与所述反应器的外壁之间，且自所述环形底部朝上延伸并与所述反应器的外壁间隔一预定距离。

3.根据权利要求2所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中所述隔板与所述外壁、所述内壁以及所述底部一体形成。

4.根据权利要求1或2所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中所述排气单元还包括环状挡板，用以覆盖所述排气通道的开放的上表面并具有多个进气口，所述多个进气口穿过所述挡板的上表面与下表面，以将所述至少二种源气体引入至所述排气通道中。

5.根据权利要求4所述的沉积薄膜的装置，其特征在于隔板与所述挡板一体形成。

6.一种沉积薄膜的装置，其特征在于包括：

反应器；

基板支撑单元，可转动地安装于所述反应器内部并设有多个基板承载部分，所述多个基板承载部分上分别承载多个基板；

气体注入单元，包括多个源气体注入器，以提供至少二种不同的源气体至所述基板支撑单元上，且多个冲洗气体注入器设置于所述多个源气体注入器之间，以提供冲洗所述源气体的冲洗气体至所述基板支撑单元上，所述多个源气体注入器及所述多个冲洗气体注入器径向地安装在所述基板支撑单元上；

排气单元，呈环状设置以围绕所述基板支撑单元的外周，且所述排气单元包括：排气通道，构造为引导并排出所述至少二种源气体至所述反应器的外部；以及多个排气口，以排出所述至少二种源气体，

其中，所述多个排气口的至少其中之一设置为邻接于各所述多个源气体注入器；以及

分别连接于所述排气口的多个泵。

7.根据权利要求6所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中以所述反应器的外壁、环形底部以及环形内壁来围绕并形成所述排气通道，所述环形底部从所述反应器的外壁朝向所述基板支撑单元而延伸，所述环形内壁设置于所述基板支撑单元与所述反应器的外壁之间，且自所述环形底部朝上延伸并与所述反应器的外壁间隔一预定距离。

8.根据权利要求6或7所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中所述排气单元还包括环状挡板，用以覆盖所述排气通道的开放的上表面并具有多个进气口，所述进气口沿着所述环状挡板的上表面以预定的角度间隔设置。

9.根据权利要求6或7所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中所述排气单元还包括环状挡板，用以覆盖所述排气通道的开放的上表面并具有多个进气口，所述多个进气口穿过所述挡板的上表面与下表面，由此将所述至少二种源气体引入至所述排气通道中。

10.根据权利要求1、2、6或7所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中所述气体注入单元还包括中心冲洗气体注入器，所述中心冲洗气体注入器设置于所述源气体注入器的中心，以注入所述冲洗气体来冲洗所述源气体，由此使所述至少二种源气体不会在所述基板支撑单元的上方混合。

11.根据权利要求1、2、6或7所述的沉积薄膜的装置，其特征在于其中所述气体注入单元与所述基板支撑单元中之一具有形成于其中心处的突出部分，另一具有插槽部分以接收所述突出部分。