[发明专利]用氟化组合物移除杂质的方法无效
申请号: | 200880100350.8 | 申请日: | 2008-05-06 |
公开(公告)号: | CN101779275A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 埃里克·D·奥尔森;菲利普·G·克拉克 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郇春艳;樊卫民 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氟化 组合 杂质 方法 | ||
1.一种将杂质从具有离子注入区的基材移除的方法,所述方法包括将包含氟化溶剂和共溶剂的组合物施加至所述基材,所施加的量足以有助于从所述基材移除杂质。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述氟化溶剂包含氢氟醚和氢氟烷烃中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述氢氟醚包含下述物质中的至少一种:甲基九氟丁基醚、甲基九氟异丁基醚、乙基九氟丁基醚、乙基九氟异丁基醚、3-乙氧基-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-十二氟-2-三氟甲基-己烷、1,1,1,2,3,3-六氟-4-(1,1,2,3,3,3-六氟-丙氧基)-戊烷、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-十氟-3-甲氧基-4-(三氟甲基)-戊烷和1,1,2,2-四氟-1-(2,2,2-三氟乙氧基)-乙烷。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述氢氟烷烃是1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-十氟戊烷。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述共溶剂包含下述物质中的至少一种:醇、醚、烷烃、烯烃、卤代烯烃、环烷烃、酯、芳香烃和卤代芳香烃。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述共溶剂包含下述物质中的至少一种:1-甲氧基-2-丙醇、乙二醇二醋酸酯、1,2-丙二醇单甲基醚醋酸酯或二丙二醇单甲基醚。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述氟化溶剂是甲基九氟丁基醚,并且所述共溶剂是乙二醇二醋酸酯。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述组合物是共沸组合物或类共沸组合物。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述组合物还包含阻蚀剂、表面活性剂、润滑剂、酸或它们的组合。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述酸包含氢氟酸和/或硝酸。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述表面活性剂包含含氟表面活性剂。
12.一种通过根据权利要求1所述方法处理的制品。
13.一种方法,包括:
提供至少一部分涂覆有光致抗蚀剂的基材;
向涂覆有所述光致抗蚀剂的所述基材的至少一部分中注入离子,得到具有离子注入区和至少一部分注入有离子的所述光致抗蚀剂的基材;
用包含氟化溶剂和共溶剂的组合物移除至少一部分注入有离子的所述光致抗蚀剂。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括在所述基材上沉积金属或合金。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述金属包含钨。
16.根据权利要求13所述的方法,还包括使所述具有离子注入区和至少一部分所述注入有离子的光致抗蚀剂的基材至少部分灰化。
17.根据权利要求13所述的方法,其中所述离子包括砷离子、硼离子和镓离子中的至少一种。
18.根据权利要求13所述的方法,还包括在移除至少一部分所述注入有离子的光致抗蚀剂后将互连线层设置在所述基材上,其中所述互连线层包括绝缘材料和金属互联线。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述绝缘材料包含低介电常数材料。
20.根据权利要求18所述的方法,其中所述金属互连线包含铜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造