[发明专利]研磨组合物无效
申请号: | 200880100365.4 | 申请日: | 2008-07-24 |
公开(公告)号: | CN101816063A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 松村义之;新田浩士 | 申请(专利权)人: | 霓达哈斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 组合 | ||
1.一种研磨组合物,其特征在于,其含有:含有铵基的碱性化合物、具有碳原子数为9~18的烷基的烷基苯磺酸盐以及过氧化氢。
2.根据权利要求1所述的研磨组合物,其特征在于,pH为8~12。
3.根据权利要求1所述的研磨组合物,其特征在于,含有铵基的碱性化合物是选自氢氧化铵、氯化铵、碳酸铵、硝酸铵、硫酸铵、焦硫酸铵、亚硝酸铵、亚硫酸铵、碳酸氢铵、乙酸铵、草酸铵、过氧酸铵、磷酸铵、焦磷酸铵以及己二酸铵之中的一种或二种以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的研磨组合物,其特征在于,烷基苯磺酸盐所具有的烷基的碳原子数为10~16。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的研磨组合物,其特征在于,其含有磨粒。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的研磨组合物,其特征在于,其含有选自酒石酸、柠檬酸、苹果酸、乙二胺四乙酸、草酸、丙二酸、烟酸、戊酸、抗坏血酸、己二酸、丙酮酸、甘氨酸、琥珀酸以及富马酸之中的一种或二种以上的有机酸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造