[发明专利]用于信号耦合和直流阻断的方法和系统有效

专利信息
申请号: 200880100562.6 申请日: 2008-06-26
公开(公告)号: CN101820945A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 詹姆斯·W·克朗伯格 申请(专利权)人: 麦哲利夫有限公司
主分类号: A61N1/32 分类号: A61N1/32;H01G9/155
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 褚海英;武玉琴
地址: 美国佐*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 信号 耦合 直流 阻断 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种用于耦合低频信号的耦合电路,其包括:

与第一外围电路进行电连通的第一导体;

与第二外围电路进行电连通的第二导体;以及

位于所述第一导体和所述第二导体之间并用于耦合所述第一外围电 路和所述第二外围电路之间的A/C低频电信号的双层电容元件,该双层 电容元件还用于基本上阻断所述A/C低频电信号的直流分量,

其中,所述耦合电路还包括与所述双层电容元件进行电连通的电阻, 所述电阻用于改善所述第一外围电路与所述第二外围电路之间的匹配阻 抗。

2.如权利要求1所述的耦合电路,其中,所述双层电容元件包括与 电解材料接触的半导体。

3.如权利要求1所述的耦合电路,其中,所述双层电容元件包括与 电解材料接触的第一半导体和与所述电解材料接触的第二半导体。

4.如权利要求1所述的耦合电路,其中,所述双层电容元件包括多 个串联连接的双层电容器。

5.如权利要求1所述的耦合电路,其中,所述双层电容元件包括一 个或多个超级电容器。

6.如权利要求1所述的耦合电路,其中,所述A/C低频电信号包括 不平衡电荷。

7.如权利要求1所述的耦合电路,所述电阻和所述双层电容元件用 于建立时间常数。

8.如权利要求1所述的耦合电路,其中所述电阻和所述双层电容元 件生成超过10秒的时间常数。

9.如权利要求1所述的耦合电路,其中所述电阻和所述双层电容元 件生成超过30秒的时间常数。

10.如权利要求1所述的耦合电路,其中所述电阻和所述双层电容 元件生成超过100秒的时间常数。

11.如权利要求1所述的耦合电路,其中所述电阻和所述双层电容 元件生成超过1000秒的时间常数。

12.如权利要求1所述的耦合电路,其中所述电阻和所述双层电容 元件生成等于或低于20Hz的频率。

13.如权利要求1所述的耦合电路,其中所述电阻和所述双层电容 元件生成在5Hz~15Hz之间的频率。

14.如权利要求1所述的耦合电路,其中所述电阻和所述双层电容 元件生成在1Hz的万分之一~1Hz的万分之三之间的频率。

15.一种通过双层电容元件耦合电路和负载之间的低频信号的方法, 该方法包括以下步骤:

向第一导体提供含有交流AC分量和直流DC分量的低频信号,

所述低频信号沿所述第一导体传导至双层电容元件,

通过所述双层电容元件耦合所述低频信号的AC分量,

通过所述双层电容元件阻断所述低频信号的DC分量,

将仅含有所述AC分量的低频信号从所述双层电容元件传导至第二 导体,以及

将所述低频信号从所述第二导体传送至所述负载,

其中,所述耦合电路还包括与所述双层电容元件进行电连通的电阻, 所述电阻用于改善和所述第一导体电连通的第一外围电路与和第二导体 电连通的第二外围电路之间的匹配阻抗。

16.如权利要求15所述的方法,其中,所述低频信号沿所述第一导 体传导至双层电容元件的步骤还包括通过单个双层电容器耦合所述信 号。

17.如权利要求15所述的方法,其中,所述低频信号沿所述第一导 体传导至双层电容元件的步骤还包括通过多个双层电容器耦合所述信 号。

18.如权利要求15所述的方法,其中,将所述低频信号从所述第二 导体传送至所述负载的步骤还包括将所述低频信号从所述第二导体传送 至生物物质。

19.如权利要求15所述的方法,其中,将所述低频信号从所述第二 导体传送至所述负载的步骤还包括将所述低频信号从所述第二导体传送 至另一电路。

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