[发明专利]清洁基板表面的方法和设备

权利要求书

1.一种在半导体基板上形成外延层的方法，所述方法包括：

在一腔室部件的表面上沉积集除层，该腔室部件设置于一处理腔室中的处理区域内， 其中该集除层包括选自由硅和锗所组成组的材料；

氧化一基板的表面；

在将该集除层沉积在该腔室部件上之后，将该基板放置在该处理腔室中的基板支撑件 上；

自放置在该基板支撑件上的该基板移除至少一部分的经氧化的表面，以暴露出非氧化 表面；以及

在该非氧化表面的至少一部分上沉积外延层。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

将一仿真基板放置在该基板支撑件上，该基板支撑件设置于该处理腔室中的该处理区 域内；以及

在将该集除层沉积在该腔室部件的该表面上的同时，在该仿真基板的表面上沉积集除 层。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在移除至少一部分的经氧化的表面 之后，藉由将该基板的该表面暴露于一含氢气体而钝化该基板的该表面，其中钝化该表面 的步骤在该沉积该外延层之前进行。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在移除至少一部分的经氧化的表面 之后，将该基板由该处理腔室传输至外延层沉积腔室，其中该传输步骤由设置在中央传输 室中的机械手执行，该中央传输室耦接至该处理腔室及该外延层沉积腔室。

5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括将在该处理腔室中执行的自该基板 移除至少一部分的经氧化的表面的步骤的终止时间，与该外延层沉积腔室能够接收该基板 的时间作一安排。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在沉积该集除层之前，藉由将该腔 室部件的表面暴露于反应性气体及射频产生等离子体，而将该腔室部件的该表面上的物质 移除，其中该反应性气体包括含氯气体或含氟气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中移除至少一部分的经氧化的表面包括以含氩气 的一气体以及选自由氦气、氖气及氢气所组成组的一气体来溅射该经氧化的表面。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在自该基板移除至少一部分的经氧 化的表面的过程中，于该基板的该表面以及在该处理区域中产生的等离子体之间设置等离 子体屏蔽，其中该等离子体屏蔽包括介电材料以及形成于其中多个孔洞。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

自多个基板移除至少一部分的经氧化的表面，该些基板各自分别地设置在该基板支撑 件上；以及

在自该多个基板移除至少一部分的该经氧化的表面之后，在该腔室部件的该表面上沉 积另一集除层。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在自该基板的该表面移除至少一部分的经氧化的表面之后，再次氧化该基板的该表 面；以及

在非氧化表面的至少一部分上沉积外延层之前，移除至少一部分的该再次氧化的表 面，以暴露出该非氧化表面。