[发明专利]光刻设备和器件制造方法

权利要求书

1.一种光刻设备，所述光刻设备包括：

照射系统，所述照射系统被配置以调节辐射束；

图案支撑件，所述图案支撑件被配置以保持图案形成装置，所述图案 形成装置被配置以对所述辐射束进行图案化，以形成图案化的辐射束；

衬底保持件，所述衬底保持件被配置以保持衬底，所述衬底保持件包 括与所述衬底接触的支撑表面；

投影系统，所述投影系统被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述 衬底上；和

清洁系统，所述清洁系统包括清洁单元，所述清洁单元被构造和布置 以在所述衬底保持件的所述支撑表面上产生基团，以从其上移除污染物，

其中，所述清洁系统定位在光刻设备的保持氢气气体环境的所在的区 域中，和其中所述清洁单元包括：

外壳，所述外壳包括与真空单元相连通的出口和多个开口，所述多个 开口使得气体在所述氢气气体环境和所述外壳的内部之间连通，和

等离子体产生器，所述等离子产生器被布置在所述外壳的内部且被配 置以产生用于产生所述基团的氢等离子体，所述氢气气体环境被配置以用 作所述等离子体产生器的氢供给。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述辐射束具有在极紫外 范围中的波长。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述等离子体产生器包括 RF电极、DC放电电极或RF线圈。

4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述外壳在使用中靠近所 述衬底保持件定位，以在所述支撑表面的至少一部分上产生所述基团。

5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中，所述外壳被构造和布置以 基本上覆盖由所述支撑表面限定的整个区域。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻设备，其中，在使用中，所 述衬底保持件和所述清洁单元能够彼此相对地移动。

7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中，所述清洁单元是沿着大致 垂直于所述支撑表面的方向可移动的。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻设备，其中，所述清洁系统 还包括配置用于检测在所述支撑表面上的污染物的污染物检测系统和与所 述污染物检测系统和所述清洁单元相通讯的控制器，所述控制器被配置以 基于所述污染物检测系统的检测结果来控制所述清洁单元、所述衬底保持 件或上述两者的位置。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻设备，其中，所述外壳由网 孔材料制成。

10.一种器件制造方法，所述方法包括步骤：

调节辐射束；

对所述辐射束进行图案化以形成图案化的辐射束；

将所述图案化的辐射束投影到衬底上，所述衬底由衬底保持件的支撑 表面支撑；和

在所述衬底保持件的所述支撑表面上产生基团，以从其上移除污染物，

其中，所述在所述衬底保持件的所述支撑表面上产生基团的步骤包括 步骤：

借助于在设置有所述衬底保持件的区域中保持氢气气体环境，将氢气 通过外壳的多个开口供给至外壳内部中；和

在所述外壳中产生氢等离子体，以产生所述基团，所述氢气气体环境 被配置以用作在所述外壳中产生所述等离子体的氢供给。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述辐射束具有在极紫外范 围中的波长。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述外壳由网孔材料制成。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，所述氢气被 从位于所述衬底保持件的所在区域外部的氢气源供给。

14.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，所述等离子 体用RF电极、DC放电电极或RF线圈产生。