[发明专利]基于碳纳米管的全固体接触离子选择性电极无效

专利信息
申请号: 200880101055.4 申请日: 2008-05-27
公开(公告)号: CN101796404A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 弗朗斯克·沙维尔·瑞斯费洛斯;圣地亚哥·马乔·阿巴里西奥;加斯顿·阿德里安·克雷斯波·帕拉巴诺;约第·瑞奥·拉塞尔 申请(专利权)人: 洛维拉·依维尔基里大学
主分类号: G01N27/333 分类号: G01N27/333
代理公司: 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 代理人: 王业晖
地址: 西班牙塔*** 国省代码: 西班牙;ES
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摘要:
搜索关键词: 基于 纳米 固体 接触 离子 选择性 电极
【权利要求书】:

1.一种全固体接触ISE,其特征在于,它包括使传感器层和导电元件接触的碳纳米管转导器层。

2.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,所述碳纳米管转导器层由一个或多个碳纳米管形成。

3.根据权利要求2所述的电极,其特征在于,所述碳纳米管选自单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。

4.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,所述碳纳米管转导器层的厚度在1.5nm至50μm之间。

5.根据权利要求4所述的电极,其特征在于,所述碳纳米管转导器层的厚度在1μm至30μm之间。

6.根据权利要求5所述的电极,其特征在于,所述碳纳米管转导器层具有15μm的厚度。

7.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,所述传感层选自离子选择性薄膜、带有在其基质中捕获的分析物识别元素的凝胶、带有包封的分析物识别元素的半渗透性薄膜、在碳纳米管上吸收的分析物识别元素层、共价键合到碳纳米管的分析物识别元素层和通过介入薄膜与碳纳米管接触的分析物识别元素层。

8.根据权利要求7所述的电极,其特征在于,所述传感层是离子选择性薄膜。

9.根据权利要求8所述的电极,其特征在于,所述传感层是钾离子选择性薄膜。

10.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,所述传感层的厚度在0.1至1000μm之间。

11.根据权利要求10所述的电极,其特征在于,所述传感层的厚度在1至100μm之间。

12.根据权利要求11所述的电极,其特征在于,所述传感层具有50μm的厚度。

13.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,它包括基底。

14.根据权利要求13所述的电极,其特征在于,所述基底是导电性基底。

15.根据权利要求13所述的电极,其特征在于,所述基底是非导电性基底。

16.根据权利要求1-15所述的全固体接触ISE的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

(a)制备碳纳米管转导器层,和

(b)使阶段(a)中制备的转导器层与传感层接触。

17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,在阶段(a)中,通过经由气溶胶喷雾、沉积液滴、浸泡或浸渍用碳纳米管的悬浮液涂覆基底,从而制备所述转导器层。

18.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,在阶段(a)中,通过碳纳米管的粉末压制来制备所述转导器层。

19.根据权利要求1-15所述的全固体接触ISE用于分析物的定性、定量或半定量分析的用途。

20.根据权利要求19所述的用途,其特征在于,所述分析物是离子。

21.根据权利要求20所述的用途,其特征在于,所述分析物是钾离子。

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