[发明专利]制造薄膜Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜III-V族化合物太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

提供基底；

在基底上形成牺牲层；

在牺牲层上形成活性层；

在活性层上形成背衬层；和

从活性层和基底之间除去牺牲层，以便薄膜III-V族化合物太阳能电池与基底分离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述薄膜III-V族化合物太阳能电池是柔性的。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底由III-V族化合物形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底之前用于另一薄膜III-V族化合物太阳能电池的制造。

5.如权利要求3所述的方法，其中，所述基底由砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)中的至少一种形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层由砷化铝镓(Al_xGa_1-xAs)、砷化铟铝(In_xAl_1-xAs)、磷锑化铝(AlP_xSb_1-x)和砷锑化铝(AlAs_xSb_1-x)中的至少一种形成。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述活性层由III-V族化合物形成。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述III-V族化合物是砷化镓(GaAs)、磷化铟镓(Ga_1-xIn_xP)、砷化铟镓(Ga_1-xIn_xAs)、磷化铟(InP)和磷砷化铟镓(Ga_1-xIn_xAs_1-yP_y)、及磷化铟镓铝((Al_xGa_1-x)_1-yIn_yP)中的任何一种。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括在第(n-1)个活性层上形成第(n)个活性层的步骤，其中，n是活性层总数，且是大于1的整数。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述背衬层由聚合物形成。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述背衬层由金属和聚合物的复合物形成。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述从活性层和基底之间除去牺牲层包括：

在酸浸蚀溶液中浸渍基底、牺牲层、活性层和背衬层以溶解牺牲层。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

向活性层应用表面金属化层；和

向活性层应用抗反射涂层。

14.一种形成多种薄膜III-V族化合物太阳能电池的方法，该方法包括：

提供基底；

在基底上形成牺牲层；

在牺牲层上形成晶片大小的III-V族化合物太阳能电池；和

从晶片大小的太阳能电池和基底之间除去牺牲层，以按晶片大小的尺度从基底分离晶片大小的III-V族化合物太阳能电池。

15.一种形成柔性的III-V族化合物太阳能电池的方法，该方法包括：

接收之前用于形成III-V族化合物太阳能电池的基底；

在重复使用的基底上形成牺牲层；

在牺牲层上形成晶片大小的柔性的III-V族化合物太阳能电池；

在太阳能电池上形成背衬层；和

从太阳能电池和基底之间除去牺牲层，以按晶片大小的尺度从基底分离晶片大小的太阳能电池。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述柔性的III-V族化合物太阳能电池包括具有多个结的薄膜多结III-V族化合物太阳能电池。