[发明专利]音叉型晶体振子及其频率调整方法有效
申请号: | 200880101811.3 | 申请日: | 2008-07-23 |
公开(公告)号: | CN101772888A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 松户秀亮 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03H3/04 | 分类号: | H03H3/04;H03H3/02 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 音叉 晶体 及其 频率 调整 方法 | ||
1.一种音叉型晶体振子的频率调整方法,所述音叉型晶体振子具 有从音叉基部延伸出一对音叉腕的音叉状晶体片,所述音叉型晶体振 子的频率调整方法的特征在于,具有第1频率调整工序,即从围绕所 述一对音叉腕的外周面向头部前端面或从头部前端面向外周面,照射 飞秒激光,形成从所述外周面到头部前端面的倾斜面,调整振荡频率。
2.如权利要求1所述的音叉型晶体振子的频率调整方法,所述外 周面为所述音叉腕的上端侧主面。
3.如权利要求1所述的音叉型晶体振子的频率调整方法,所述音 叉状晶体片是通过蚀刻技术被加工外形,并且在与晶片一体化连结的 状态下被调整振荡频率。
4.如权利要求2所述的音叉型晶体振子的频率调整方法,所述音 叉状晶体片在所述音叉腕的上端侧主面具有调整用金属膜,通过所述 飞秒激光进行的第1频率调整工序之后,具有第2频率调整工序,其 通过激光削除所述调整用金属膜的一部分。
5.如权利要求4所述的音叉型晶体振子的频率调整方法,所述第 1频率调整工序是在晶片一体化连结的状态下被实施,并且所述第2 频率调整工序是在将各个音叉状晶体片收容进凹状剖面的表面安装容 器内的状态下被实施。
6.如权利要求4所述的音叉型晶体振子的频率调整方法,所述第 2频率调整工序中使用的激光是比所述第1频率调整工序的激光能量 低的飞秒激光。
7.如权利要求4所述的音叉型晶体振子的频率调整方法,所述第 2频率调整工序是用离子铣去除预先形成于音叉头部的金属膜而进行 的。
8.如权利要求7所述的音叉型晶体振子的频率调整方法,形成所 述倾斜面的所述飞秒激光相对于所述音叉腕的主面呈30~70°的入射 角。
9.一种音叉型晶体振子,具有从音叉基部延伸出一对音叉腕的音 叉状晶体片,所述音叉型晶体振子具有以下构造:通过从围绕所述一 对音叉腕的外周面向头部前端面或从头部前端面向外周面照射飞秒激 光而形成的从所述外周面到头部前端面的倾斜面。
10.如权利要求9所述的音叉型晶体振子,所述外周面为所述音 叉腕的主面。
11.如权利要求9或10所述的音叉型晶体振子,所述外周面为所 述音叉腕的单侧的主面。
12.如权利要求9或10所述的音叉型晶体振子,所述外周面为所 述音叉腕的两侧的主面。
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