[发明专利]半导体发光元件以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件的制造方法，由具有定位面的蓝宝石基板上叠 层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件，其特征在于，具 有如下的工序：

在平行所述定位面的方向Xo具有偏移角θ的蓝宝石基板的第1主面 上叠层半导体层，

在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在垂直所述方 向Xo的方向Y上延伸，

在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角θ 的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从 而形成第2切断线，

沿着所述第1切断槽以及/或者第2切断线分割晶片。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在从配置了所述定位面在跟前的蓝宝石基板的第1主面侧的俯视观察 时，将朝向右侧的方向设为Xo，将朝向左侧的方向设为-Xo，

所述蓝宝石基板在Xo方向上存在-θ的偏移角时，使第2切断线从第 1切断槽内的分割预定线向-Xo方向移动规定距离，所述蓝宝石基板在Xo 方向上存在+θ的偏移角时，使第2切断线从第1切断槽内的分割预定线 向+Xo方向移动规定距离。

3.一种半导体发光元件的制造方法，由蓝宝石基板上叠层了氮化镓类 化合物半导体的晶片制造半导体发光元件，其特征在于，具有如下工序：

在所述蓝宝石基板的第1主面上，由蚀刻形成底面形状为多边形的凸 部，

在所述蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，

在所述半导体层侧形成第1切断槽，在从所述蓝宝石基板的第1主面 侧俯视观察时，所述第1切断槽在垂直方向X的方向Y上延伸，该方向X 是从所述凸部底面的多边形的重心向1个锐角状的顶点的方向，

在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且从该第1切断 槽内的分割预定线向-X方向移动规定距离，从而形成第2切断线，

沿着所述第1切断槽以及/或者第2切断线分割晶片。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

蓝宝石基板具有定位面，第1主面以及/或者第2主面在平行该定位面 的方向Xo上具有偏移角θ。

5.根据权利要求3或者4所述的半导体发光元件的制造方法，其特征 在于，

从凸部底面的多边形的重心向1个锐角状的顶点的方向X设定为平行 蓝宝石基板的定位面。

6.根据权利要求3～5的任意一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，

蚀刻是湿蚀刻。

7.根据权利要求1～6的任意一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，

由激光的照射形成第2切断线。

8.根据权利要求1～7的任意一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，

激光对于蓝宝石基板是透过的光。

9.根据权利要求1～8的任意一项所述的半导体发光元件的制造方法， 其特征在于，

从蓝宝石基板侧，以第1导电型层、发光层以及第2导电型层的顺序 叠层形成半导体层，以露出第1导电型层的方式形成第1切断槽。

10.根据权利要求1～9的任意一项所述的半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，

以露出蓝宝石基板的方式形成第1切断槽。

11.根据权利要求1～10的任意一项所述的半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，

形成第2切断线时的蓝宝石基板的厚度设定为50～400μm。

12.根据权利要求1～11的任意一项所述的半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，

以蓝宝石基板厚度的四分之一以上的深度形成第2切断线。

13.根据权利要求1～12的任意一项所述的半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，

在蓝宝石基板的厚度方向上，多阶段照射激光，从而形成第2切断线。