[发明专利]溅射设备和膜沉积方法

权利要求书

1.一种溅射设备，所述溅射设备包括：

阴极，所述阴极具有溅射靶材支撑面，所述溅射靶材支撑面能绕第一转轴转动；

台架，所述台架具有基板支撑面，所述基板支撑面能绕与所述第一转轴平行地布置的第二转轴转动；以及

遮蔽板，所述遮蔽板被布置于所述溅射靶材支撑面和所述基板支撑面之间，并且所述遮蔽板能绕所述第一转轴或所述第二转轴转动，

其中，所述溅射靶材支撑面、所述基板支撑面和所述遮蔽板中的至少一方的转动被控制成使得：在溅射过程中，使从支撑于所述溅射靶材支撑面的溅射靶材产生的溅射粒子中的以相对于所述基板支撑面的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到支撑于所述基板支撑面的基板。

2.根据权利要求1所述的溅射设备，其特征在于，当利用布置于所述溅射靶材支撑面的靶材来进行溅射时，所述遮蔽板的在转动方向上的第一端的至少一部分被定位于由布置于所述阴极的所述靶材的所述阴极产生的磁场的相对于所述溅射靶材支撑面的垂直成分变为0的区域的集合体所包围的区域。

3.根据权利要求2所述的溅射设备，其特征在于，在所述溅射过程中，当膜沉积完成到待形成的膜的一半时，所述遮蔽板的与所述第一端相反的第二端的至少一部分位于由布置于所述阴极的所述靶材的所述阴极产生的磁场的相对于所述溅射靶材支撑面的垂直成分变为0的区域的集合体所包围的所述区域中。

4.根据权利要求1所述的溅射设备，其特征在于，所述溅射设备控制所述阴极、所述台架和所述遮蔽板中的至少一方的转动，使得在溅射过程中，使从支撑于所述溅射靶材支撑面的溅射靶材产生的溅射粒子中的以相对于所述法线成10°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到支撑于所述基板支撑面的基板。

5.根据权利要求4所述的溅射设备，其特征在于，所述溅射设备还包括第二遮蔽板，所述第二遮蔽板被布置于所述溅射靶材支撑面和所述基板支撑面之间，并且所述第二遮蔽板能绕所述第一转轴或所述第二转轴转动，

其中，所述遮蔽板和所述第二遮蔽板进行遮蔽，使得防止从所述溅射靶材产生的溅射粒子中的以相对于所述法线成0°以上且小于10°和50°以上的角度入射的溅射粒子入射到所述基板。

6.根据权利要求1所述的溅射设备，其特征在于，所述溅射设备控制所述溅射靶材支撑面、所述基板支撑面和所述遮蔽板中的至少一方的转动，从而进行遮蔽，使得防止从所述溅射靶材产生的溅射粒子中的以相对于所述法线成大于50°的角度入射的溅射粒子入射到所述基板。

7.根据权利要求1所述的溅射设备，其特征在于，所述台架包括基板载置台，所述基板载置台能绕与所述第二转轴垂直的第三转轴转动，以及

在溅射过程中，当膜沉积完成到待形成的膜的一半时，使所述基板载置台绕所述第三转轴转动180°。

8.根据权利要求1所述的溅射设备，其特征在于，所述溅射设备还包括用于控制所述溅射靶材支撑面、所述基板支撑面和所述遮蔽板中的至少一方的转动的控制设备。

9.根据权利要求1所述的溅射设备，其特征在于，所述阴极具有多个溅射靶材支撑面，并且所述多个溅射靶材支撑面被布置在所述阴极的周围。

10.一种由溅射设备进行的膜沉积方法，所述溅射设备包括：

阴极，所述阴极具有溅射靶材支撑面，所述溅射靶材支撑面能绕第一转轴转动；

台架，所述台架具有基板支撑面，所述基板支撑面能绕与所述第一转轴平行地布置的第二转轴转动；以及

遮蔽板，所述遮蔽板被布置于所述溅射靶材支撑面和所述基板支撑面之间，并且所述遮蔽板能绕所述第一转轴或所述第二转轴转动，

其中，所述溅射靶材支撑面、所述基板支撑面和所述遮蔽板中的至少一方被独立地转动，使得在溅射过程中，使从支撑于所述溅射靶材支撑面的溅射靶材产生的溅射粒子中的以相对于所述基板支撑面的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到支撑于所述基板支撑面的基板。

11.根据权利要求10所述的膜沉积方法，其特征在于，在所述溅射过程中，所述遮蔽板的在转动方向上的第一端的至少一部分被定位于由布置于所述阴极的所述靶材的所述阴极产生的磁场的相对于所述溅射靶材支撑面的垂直成分变为0的区域的集合体所包围的区域。