[发明专利]显示器件及具有该显示器件的电子设备及其制造方法有效
| 申请号： | 200880101885.7 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101765917A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 小林聪;宫口厚;守屋芳隆;黑川义元;河江大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 器件 具有 电子设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种包括薄膜晶体管的显示器件，包括：
设置在衬底上的栅电极；
设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；
设置在所述栅电极上的微晶半导体膜，所述栅电极与所述微晶半导体膜之 间插入有所述栅极绝缘膜；
设置在所述微晶半导体膜上且与所述微晶半导体膜接触的沟道保护层；
设置在所述栅极绝缘膜上以及所述微晶半导体膜和所述沟道保护层的侧 面上的非晶半导体膜；
设置在所述非晶半导体膜上的杂质半导体层；以及
设置在所述杂质半导体层上且与所述杂质半导体层接触的源电极和漏电 极，
其中所述非晶半导体膜的厚度大于所述微晶半导体膜的厚度。
2.一种包括薄膜晶体管的显示器件，包括：
设置在衬底上的栅电极；
设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；
设置在所述栅电极上的微晶半导体膜，所述栅电极与所述微晶半导体膜之 间插入有所述栅极绝缘膜；
设置在所述微晶半导体膜上且与所述微晶半导体膜接触的沟道保护层；
设置在所述栅极绝缘膜上以及所述微晶半导体膜和所述沟道保护层的侧 面上的非晶半导体膜；
设置在所述非晶半导体膜上的杂质半导体层；以及
设置在所述杂质半导体层上且与所述杂质半导体层接触的源电极和漏电 极，
其中所述非晶半导体膜的厚度大于所述微晶半导体膜的厚度，
其中所述杂质半导体层的一部分和所述非晶半导体膜的一部分暴露在所 述源电极和所述漏电极之外，以及
其中所述杂质半导体层的端部之一和所述非晶半导体膜的端部之一在所 述栅电极上方相互对齐。
3.一种包括薄膜晶体管的显示器件，包括：
设置在衬底上的栅电极；
设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；
设置在所述栅电极上的微晶半导体膜，所述栅电极与所述微晶半导体膜之 间插入有所述栅极绝缘膜；
设置在所述微晶半导体膜上且与所述微晶半导体膜接触的沟道保护层；
设置在所述栅极绝缘膜上以及所述微晶半导体膜和所述沟道保护层的侧 面上的非晶半导体膜；
设置在所述非晶半导体膜上的杂质半导体层；
设置在所述杂质半导体层上并与所述杂质半导体层接触的源电极和漏电 极；
与所述源电极、漏电极、所述杂质半导体层以及所述非晶半导体膜接触的 绝缘膜；以及
设置在所述绝缘膜上且在所述绝缘膜中形成的接触孔中连接至所述源 电极和漏电极之一的像素电极，
其中所述非晶半导体膜的厚度大于所述微晶半导体膜的厚度。
4.一种包括薄膜晶体管的显示器件，包括：
设置在衬底上的栅电极；
设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；
设置在所述栅电极上的微晶半导体膜，所述栅电极与所述微晶半导体膜之 间插入有所述栅极绝缘膜；
设置在所述微晶半导体膜上且与所述微晶半导体膜接触的沟道保护层；
设置在所述栅极绝缘膜上以及所述微晶半导体膜和所述沟道保护层的侧 面上的非晶半导体膜；
设置在所述非晶半导体膜上的杂质半导体层；
设置在所述杂质半导体层上且与所述杂质半导体层接触的源电极和漏电 极；
与所述源电极、漏电极、所述杂质半导体层以及所述非晶半导体膜接触的 绝缘膜；以及
设置在所述绝缘膜上且在所述绝缘膜中形成的接触孔中连接至所述源 电极和漏电极之一的像素电极，
其中所述非晶半导体膜的厚度大于所述微晶半导体膜的厚度，
其中所述杂质半导体层的一部分和所述非晶半导体膜的一部分暴露在所 述源电极和所述漏电极之外，以及
所述杂质半导体层的端部之一和所述非晶半导体膜的端部之一在所述栅 电极上方相互对齐。
5.根据权利要求1到4中的任一项所述的显示器件，其特征在于，所述 沟道保护层是氮化硅膜及氮氧化硅膜中的一种。
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