[发明专利]用于控制氧化铝的沉淀的电解方法

权利要求书

1.一种用于控制氧化铝从拜耳法溶液中沉淀的方法，所述方法包括以下步骤：

在包含拜耳法液体的第一区域和包含苛性碱溶液的第二区域之间施加电势，其中在所述第一区域和所述第二区域之间提供离子渗透膜；和

导致离子跨过所述离子渗透膜从一个区域向另一个区域转移，其中不将所述拜耳法液体引导至所述第二区域。

2.根据权利要求1所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中提供多于两个区域和多于一个离子渗透膜。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述苛性碱溶液具有以Al₂O₃计的20gL^-1的最大氧化铝浓度。

4.根据权利要求2所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中提供至少一个阴离子渗透膜和至少一个阳离子渗透膜。

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中多个所述离子渗透膜构成电渗析单元。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中提供双极性膜。

7.根据权利要求2所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中提供至少一个双极性膜和至少一个阳离子渗透膜。

8.根据权利要求6或权利要求7中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中多个所述渗透膜构成电渗析单元。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述方法包括以下另外的步骤：

在所述拜耳法液体中沉淀氧化铝。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述方法还包括以下另外的步骤：

在所述拜耳法液体中放入氧化铝晶种。

11.根据权利要求10所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中以下步骤：

在所述拜耳法液体中放入氧化铝晶种，

在以下步骤之前进行：

在包含拜耳法液体的第一区域和包含苛性碱溶液的第二区域之间施加电势，其中在所述第一区域和所述第二区域之间提供离子渗透膜。

12.根据权利要求10所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中以下步骤：

在所述拜耳法液体中放入氧化铝晶种，

在以下步骤之后进行：

在包含拜耳法液体的第一区域和包含苛性碱溶液的第二区域之间施加电势，其中在所述第一区域和所述第二区域之间提供离子渗透膜。

13.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中以下步骤：

导致离子跨过所述离子渗透膜从一个区域向另一个区域转移，在比用于煮解铝土矿的温度低的温度进行。

14.根据权利要求9至13中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中以下步骤：

在所述拜耳法液体中沉淀氧化铝；

在高达所述液体在该压力下的沸点的温度进行。

15.根据权利要求4至14中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述阳离子渗透膜包含全氟聚合物如磺化四氟乙烯共聚物、羧酸酯聚合物、聚苯乙烯基聚合物、二乙烯基苯聚合物，或钠传导陶瓷如β-氧化铝，或它们的组合。

16.根据权利要求4至14中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述阴离子渗透膜为NeoseptaAHA膜或Fumatech FAP膜。

17.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述阳极包含铂涂覆的铌、铂涂覆的钛或蒙乃尔合金。

18.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述阴极包含不锈钢或气体扩散电极(氧去极化阴极)。

19.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述苛性碱浓度不大于约8M NaOH或25％NaOH。

20.根据前述权利要求中的任一项所述的用于控制氧化铝沉淀的方法，其中所述苛性碱溶液来源于拜耳流程中。