[发明专利]时间复用多输出DC/DC转换器和电压调整器有效
申请号: | 200880102252.8 | 申请日: | 2008-08-04 |
公开(公告)号: | CN101779173A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 理查德·K·威廉姆斯 | 申请(专利权)人: | 先进模拟科技公司 |
主分类号: | G05F1/00 | 分类号: | G05F1/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤;南霆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 时间 复用多 输出 dc 转换器 电压 调整器 | ||
1.一种开关转换器,包括:
电感器,该电感器连接在电源电压与节点Vx之间;
低位开关,该低位开关连接在所述节点Vx与地之间;
第一高位开关,该第一高位开关连接在所述节点Vx与第一负载之间;以及
第二高位开关,该第二高位开关连接在所述节点Vx与第二负载之间,
控制电路,该控制电路被连接为按重复序列来驱动所述低位开关、所述第一高位开关和所述第二高位开关,所述重复序列包括:
第一阶段,其中所述电感器被充电到所述电源电压与地之间;
第二阶段,其中所述电感器向所述第一负载提供电流;以及
第三阶段,其中所述电感器向所述第二负载提供电流,
先断后通(BBM)缓冲器,被配置为断开所述低位开关、断开所述第一高位开关和断开所述第二高位开关,以在所述第一阶段、第二阶段和第三阶段的阶段之间都形成一个BBM时间间隔。
2.如权利要求1所述的开关转换器,还包括:与所述第一负载并联连接的第一输出电容器以及与所述第二负载并联连接的第二输出电容器。
3.如权利要求1所述的开关转换器,其中,所述重复序列具有如下形式:第一阶段、第二阶段、第三阶段、第一阶段、第二阶段、第三阶段。
4.如权利要求1所述的开关转换器,其中,所述重复序列具有如下形式:第一阶段、第二阶段、第一阶段、第三阶段、第一阶段、第二阶段、第一阶段、第三阶段。
5.如权利要求1所述的开关转换器,还包括:反馈电路,该反馈电路被配置为生成作为提供到负载中的至少一个负载的电压或电流的函数的反馈信号,并且其中所述控制电路被配置为响应于所述反馈信号而改变所述第一阶段、第二阶段或第三阶段中的至少一个阶段的持续时间。
6.如权利要求1所述的开关转换器,还包括:反馈电路,该反馈电路 被配置为生成作为提供到负载中的至少一个负载的电压或电流的函数的反馈信号,并且其中所述控制电路被配置为响应于所述反馈信号而改变所述第一阶段、第二阶段和第三阶段的重复频率。
7.如权利要求1所述的开关转换器,还包括:反馈电路,该反馈电路被配置为生成作为提供到负载中的至少一个负载的电压或电流的函数的反馈信号,并且其中所述控制电路被配置为响应于所述反馈信号而跳过所述第一阶段、第二阶段或第三阶段。
8.如权利要求1所述的开关转换器,其中,所述低位开关是N沟道MOSFET器件。
9.如权利要求1所述的开关转换器,其中,所述第一高位开关和所述第二高位开关中的至少一个是P沟道MOSFET器件。
10.如权利要求9所述的开关转换器,还包括:基体偏压生成器,该基体偏压生成器被连接为向所述P沟道MOSFET器件提供偏置电压。
11.如权利要求1所述的开关转换器,其中,所述第一高位开关和所述第二高位开关中的至少一个是N沟道MOSFET器件。
12.如权利要求11所述的开关转换器,还包括:自举电路,该自举电路被连接为升高提供给所述N沟道MOSFET器件的栅极的电压。
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