[发明专利]存储装置的驱动方法有效
| 申请号： | 200880102793.0 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101779248A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 椎本恒则;冈崎信道;対马朋人 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 驱动 方法 | ||
1.一种存储装置的驱动方法，所述驱动方法用于包含可变电阻元件 的存储装置，所述可变电阻元件具有一对电极，并且在所述可变电阻元 件中，能够通过在所述一对电极之间施加不同极性的电压来使电阻值可 逆地变化，
当使所述可变电阻元件从电阻值高的高电阻状态向电阻值低的低电 阻状态变化时，在所述一对电极之间施加多次形状相互不同的脉冲状电 压。
2.根据权利要求1所述的存储装置的驱动方法，其中，当使所述可 变电阻元件从所述高电阻状态向所述低电阻状态变化时，在所述一对电 极之间施加两次形状相互不同的脉冲状电压。
3.根据权利要求2所述的存储装置的驱动方法，其中，在所述两次 脉冲状电压中，把第二次脉冲状电压的电压值设定成低于第一次脉冲状 电压的电压值。
4.根据权利要求3所述的存储装置的驱动方法，其中，把所述第二 次脉冲状电压设定成：在当使所述可变电阻元件从所述高电阻状态向所 述低电阻状态变化时在所述一对电极之间形成的导电路径的温度下降到 预定阈值以下之后，使所述第二次脉冲状电压断开。
5.根据权利要求2所述的存储装置的驱动方法，其中，在所述两次 脉冲状电压中，把第二次脉冲状电压的电压值设定成高于第一次脉冲状 电压的电压值。
6.根据权利要求5所述的存储装置的驱动方法，其中，把所述第二 次脉冲状电压的脉冲宽度设定成大于所述第一次脉冲状电压的脉冲宽 度。
7.根据权利要求1所述的存储装置的驱动方法，其中，所述可变电 阻元件在所述一对电极之间具有：
存储层，它由绝缘体构成；以及
金属含有层，它包含容易离子化的金属元素。
8.根据权利要求7所述的存储装置的驱动方法，其中，所述金属元 素为铜(Cu)、银(Ag)和锌(Zn)中的至少一种元素。
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