[发明专利]存储器系统

权利要求书

1.一种存储器系统，包括：

闪速-EEPROM存储器，其中排列有多个存储器单元，所述存储器单 元具有浮动栅极或电荷捕获层并且能够电擦除和写入数据；

控制电路，其控制高速缓冲存储器和所述闪速-EEPROM存储器；以 及

接口电路，其与外部通信，其中

在所述闪速-EEPROM存储器的存储区中存储多个组数据和多个标志 数据，所述多个标志数据用于存储对于各个组数据的所有位的倒置的存在， 其中

在所述多个组数据中，对于原始写入数据中的ECC校正位，所述控 制电路在数据保留中阈值电压降低的方向写入数据，对于未ECC校正的 其他位，所述控制电路在数据保留中阈值电压增加的方向写入数据，或者， 对于所有位、对于所述闪速-EEPROM存储器的存储区的登记为空块的块， 所述控制电路在数据保留中阈值电压增加的方向写入数据，

当指示出相对于原始写入数据倒置了相应的原始标志数据时，倒置相 应的组数据，并且对于该组数据执行ECC校正，并且当新写入数据是在 ECC校正位位置处在数据保留中阈值电压增加的方向中时，对于闪速 -EEPROM存储器的存储区的执行旧数据的读取和新数据的写入的块，分 别在闪速-EEPROM存储器的存储区中的相应组数据和标志数据中写入其 中相应的组数据的所有位被倒置的数据以及用于存储指示出相应标志数据 的倒置的信息的数据。

2.如权利要求1所述的存储器系统，其中在各个组数据中，在指示 出原始写入数据的读取阈值电压降低的方向中的数据的位位置处，如果新 写入数据是在数据保留中阈值电压增加的方向中，则倒置组数据的所有位， 并相对于相应的标志数据存储指示出倒置的信息，用于相对于闪速 -EEPROM存储器的存储区的空块进行新数据的块写入。

3.如权利要求2所述的存储器系统，其中对于在闪速-EEPROM存储 器的存储区的新数据的写入块中的数据读取，当在各个组数据中倒置相应 的标志数据时，将其中组数据的所有位被倒置的数据指定为读取数据。

4.如权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制电路包括在其中 存储ECC校正位位置的非易失性铁电存储器。

5.如权利要求2所述的存储器系统，其中当指示出相对于原始写入 数据倒置了相应的原始标志数据时，倒置相应的组数据，并且对于该组数 据执行ECC校正，并且当新写入数据是在ECC校正位位置处在数据保留 中阈值电压增加的方向中时，对于闪速-EEPROM存储器的存储区的执行 旧数据的读取和新数据的写入的块，分别在闪速-EEPROM存储器的存储 区中的相应组数据和标志数据中写入其中相应的组数据的所有位被倒置的 数据以及用于存储指示出相应标志数据的倒置的信息的数据。

6.如权利要求2所述的存储器系统，其中所述组数据包括用于ECC 校正的组数据的冗余位，并且所述标志数据包括用于ECC校正的标志数 据的冗余位。

7.如权利要求2所述的存储器系统，其中所述标志数据包括用于存 储在各个标志数据中的所有位的倒置的存在的标志数据的标志数据。

8.如权利要求2所述的存储器系统，其中所述控制电路包括在其中 存储位位置的非易失性铁电存储器，其指示原始写入数据的读取阈值电压 降低的方向。

9.如权利要求1所述的存储器系统，其中所述组数据包括用于ECC 校正的组数据的冗余位，并且所述标志数据包括用于ECC校正的标志数 据的冗余位。

10.如权利要求1所述的存储器系统，其中所述标志数据包括用于存 储在各个标志数据中的所有位的倒置的存在的标志数据的标志数据。

11.如权利要求5所述的存储器系统，其中所述组数据包括用于ECC 校正的组数据的冗余位，并且所述标志数据包括用于ECC校正的标志数 据的冗余位。

12.如权利要求5所述的存储器系统，其中所述标志数据包括用于存 储在各个标志数据中的所有位的倒置的存在的标志数据的标志数据。