[发明专利]液晶介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于极性化合物的混合物的、负介电各向异性的 液晶介质，其包含至少一种选自式IA、IB和IC的化合物的化合物，

其中

R^1A、R^1B、R^2B和R^1C各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的烷基，

R^2A和R^2C各自彼此独立地表示具有不超过6个C原子的未取代、 由CN或CF₃单取代或由卤素至少单取代的烷基，其中在这些基团中的 一个或多个CH₂-基团也可被-O-、-S-、、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、 -OC-O-或-O-CO-以O原子不直接彼此连接的方式代替，且若L＝F，R^2C还可表示卤素，优选F或Cl，

L表示H或F，

m、n、o和p各自彼此独立地表示0、1或2，

b表示0或1。

这类介质可特别用于具有基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显 示器和用于IPS(面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。根据本 发明的介质优选具有负的介电各向异性。

背景技术

电控双折射、ECB效应(electrically controlled birefringence)或还有DAP(排列相畸变)效应的原理首次描述于1971 年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon，″Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields″，Appl.Phys.Lett.19(1971)，3912)。接着还有 J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972)，1193)和G.Labrunie和J. Robert(J.Appl.Phys.44(1973)，4869)的论文。

J.Robert和F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980)， 30)，J.Duchene(Displays 7(1986)，3)和H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982)，244)的论文已表明，液晶相必须具有高数值的 弹性常数K₃/K₁的比例，高数值的光学各向异性Δn和高数值的介电各 向异性Δε≤-0.5以适用于基于ECB效应的高信息显示元件。基于ECB 效应的电光显示元件具有垂直边缘取向(VA-技术＝垂直配向)。介电负 性的液晶介质还可以用于利用所谓IPS或FFS效应的显示器中。