[发明专利]用于保护处理室中毗邻处理执行区的处理排除区的方法和装置

权利要求书

1.用于保护晶片的中心裸片区域免于被处理室中的带电粒子损 害的装置，该装置包含：

第一电极，其被配置为将该晶片安装在该处理室中，其 中中心器件区域在以晶片轴为中心的器件边界内，并且其中晶 片边缘排除区远离该轴和该边界径向延伸；

第二电极，其被配置为具有场环安装部分，该场环安装 部分相对于该边界并远离该轴径向延伸并且毗邻该边界；以及

场环布置，其被配置为建立能够对该带电粒子施加力以 排斥该粒子免于移动到该中心器件区域的场，该场环布置被安 装在该场环安装部分中并被配置以便该场具有被配置为具有 毗邻该边界的顶点值的场强坡度，该场强坡度限定场强与远离 该轴并远离该边界的径向距离的增加成反比增加，该场强的该 坡度和该顶点值排斥该带电粒子免于朝该轴径向移动经过该 边界。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

该第一电极被进一步配置为具有第二场环安装部分；以 及

该场环布置包含环形永磁体布置，该环形永磁体布置被 配置为具有安装在该第一电极的该场环安装部分的第一永磁 体部分以及具有被安装在该第二场环安装部分的第二永磁体 部分，该第一和第二安装的永磁体部分被配置为建立该场为具 有该被配置的场强坡度的磁场。

3.根据权利要求1所述的装置，进一步包含：

第一电性接地环，其在该边缘排除区和该场环安装部分 径向向外的环形路径中延伸，并且与该第二电极电性隔离；以 及

其中：

该第一电极被进一步配置为具有第二电性接地环，其在 该边缘排除区径向向外的环形路径中延伸并与该安装的晶片 电性隔离；以及

该场环布置被进一步配置为具有安装在该场环安装部分 中的直流偏置环以便该接地环和该直流偏置环配合以建立该 场为具有该被配置的场强坡度的电场。

4.用于保护晶片的中心裸片区域免于被处理室中的带电粒子损 害的装置，该装置包含：

第一电极，其被配置为将该晶片安装在该处理室中，其 中该中心区域在以晶片轴为中心的环形晶片边界内，并且其中 晶片边缘排除区相对于该轴并在该边界外侧径向延伸，该第一 电极被进一步配置为具有第一环安装部分；

第二电极，其被配置为具有相对于该边界并远离该轴径 向延伸的第二环安装部分；以及

环形永磁体布置，其被配置为具有安装在该第一环安装 部分中的第一永磁体部分和安装在该第二环安装部分中的第 二永磁体部分，该第一和第二安装的永磁体部分被配置为建立 在该第一和第二安装的永磁体部分之间和在以该轴为中心的 环形路径中延伸的磁场，该第一和第二安装的永磁体部分被进 一步配置为建立被配置为具有磁场强度的磁场，该磁场强度具 有根据相对于该轴并远离该边界的径向距离变化的场强坡度， 该坡度变化是从毗邻该边界的顶点值开始并与远离该轴的增 加的径向距离成反比，该场强的该坡度和该顶点值被配置为排 斥该带电粒子免于朝该轴径向移动经过该边界。

5.根据权利要求4所述的装置，其中该第一和第二环安装部分被 进一步配置为可调节地安装该各第一和第二永磁体部分以在 平行于轴的方向上彼此相对移动。

6.根据权利要求5所述的装置，其中：

待保护的不同的晶片被配置为具有相对于各自晶片的轴 在不同的径向位置的各自的边界，该各自的边界限定相对于该 晶片边缘排除区的该中心裸片区域的不同的径向范围，该范围 要被保护以免于被该带电粒子损害；以及

该第一和第二环安装部分的配置允许该各自的第一和第 二永磁体部分在平行于轴的方向上彼此相对移动以根据该晶 片的该边界关于该轴的该径向位置而控制该磁场的磁场强度 的顶点值。

7.根据权利要求6所述的装置，其中该可调节地安装和移动提供 与接近于该轴的该边界的第一径向位置对应的更低的顶点值， 并提供与比该第一径向位置进一步远离该轴的该边界的第二 径向位置对应的顶点磁场强度的更大的值。