[发明专利]溅射方法及溅射装置无效
申请号: | 200880103599.4 | 申请日: | 2008-08-18 |
公开(公告)号: | CN101784693A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 矶部辰德;小松孝;佐藤重光;大空弘树;谷口英男;川口昌男 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科;夏普株式会社 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34;H01B13/00 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 方法 装置 | ||
1.一种溅射方法,在向溅射室内导入工艺气体的同时,向溅射室内与处理基板相对并且以规定的间隔并列设置的多片靶中各成对的靶施加电力,并按照规定的频率交替改变极性,将各个靶交替转换为阳极电极、阴极电极,在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电,形成等离子体气氛,对各个靶进行溅射,从而在处理基板的表面上形成规定的透明导电膜,其特征在于,在溅射中间歇停止向各个靶施加电力。
2.如权利要求1所述的溅射方法,其特征在于,对并列设置的全部靶按照一定的周期进行所述间歇停止。
3.如权利要求1或2所述的溅射方法,其特征在于,将所述间歇停止时间的总和设定为,小于等于在处理基板的表面上形成一定膜厚的规定透明导电膜所必须的溅射时间的10%范围内。
4.如权利要求1至3中任何一项所述的溅射方法,其特征在于,用铟和锡的氧化物靶或铟和锡的合金靶作为所述靶,用含H2O气的气体作为导入到处理室内的工艺气体。
5.一种溅射装置,包括:在溅射室内与处理基板相对并且以规定的间隔并列设置的多片铟和锡的氧化物靶或铟和锡的合金靶;可以向分别成对的所述靶施加电力并按照一定的频率交替改变极性的交流电源;可以向溅射室内导入工艺气体的气体导入装置;各个交流电源具有在向一对靶施加电力或停止施加电力两种状态之间进行切换的开关元件,其特征在于,设置控制开关元件切换的控制装置,以在溅射中间歇停止向靶的电力施加。
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