[发明专利]微电子封装元件及其制备方法

权利要求书

1.制备封装元件的方法，所述封装元件具有顶部表面和远离所述顶部 表面的底部表面，所述方法包括以下步骤：

(i)使金属片变形以形成多个空心触点，所述空心触点包括多个朝上的 第一触点和多个朝下的第二触点，所述第一触点暴露在所述顶部表面处， 所述第二触点暴露在所述底部表面处并与所述第一触点连接，所述第一和 第二触点中的至少一些触点与所述第一和第二触点中的其他触点电绝缘； 并

(ii)在所述第一和第二触点中的至少一些触点之间的空间内涂布介电材 料，所述第一触点暴露在所述顶部表面处，并且所述第二触点暴露在所述 底部表面处。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(i)包括冲压所述金属片以形 成所述多个空心触点。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使所述金属片在第一压模和第二 压模之间变形以形成所述多个空心触点。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括以光刻方式限定覆盖变形金 属片的掩膜层，并且按照所述掩膜层蚀刻所述变形金属片，以使所述第一 和第二触点中的至少一些触点与所述第一和第二触点中的其他触点电绝 缘。

5.根据权利要求1所述的方法，其中通过使介电材料流过模版或丝网 中的至少一种来涂布所述介电材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用旋涂方法来涂布所述介电材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中用注射成型方法来涂布所述介电 材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中通过将介电片层压至所述顶部表 面或底部表面中的至少一个表面上来涂布所述介电材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属片主要由铜组成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电材料包括环氧化物。

11.封装微电子元件的方法，其包括以下步骤：

(a)形成具有顶部表面和远离所述顶部表面的底部表面的封装元件，所 述封装元件通过以下步骤来成形：(i)使金属片变形以形成多个空心触点， 所述空心触点包括多个朝上的第一触点和多个朝下的第二触点，所述第一 触点暴露在所述顶部表面处，所述第二触点暴露在所述底部表面处并与所 述第一触点连接，所述第一和第二触点中的至少一些触点与所述第一和第 二触点中的其他触点电绝缘；并(ii)在所述第一和第二触点中的至少一些触 点之间的空间内涂布介电材料，所述第一触点暴露在所述顶部表面处，并 且所述第二触点暴露在所述底部表面处，以及

(b)将微电子元件安装至所述封装元件的顶部表面，并且将所述微电子 元件与所述第一触点或第二触点中的至少一个触点相互电连接。

12.根据权利要求11所述的方法，其中步骤(a)包括冲压所述金属片以 形成所述多个空心触点。

13.根据权利要求11所述的方法，其中步骤(a)包括使所述金属片在第 一压模和第二压模之间变形以形成所述多个空心触点。

14.根据权利要求11所述的方法，其中步骤(a)还包括以光刻方式限定 覆盖所述变形金属片的掩膜层，并且按照所述掩膜层蚀刻所述变形金属片， 以使所述第一和第二触点中的至少一些触点与所述第一和第二触点中的其 他触点电绝缘。

15.根据权利要求11所述的方法，其中通过使流体介电材料流过模版 或丝网中的至少一种来涂布所述介电材料。

16.根据权利要求11所述的方法，其中用旋涂方法来涂布所述介电材 料。

17.根据权利要求11所述的方法，其中用注射成型方法来涂布所述介 电材料。

18.根据权利要求11所述的方法，其中通过将介电片材料层压至所述 顶部表面或底部表面中的至少一个表面上来涂布所述介电材料。

19.根据权利要求11所述的方法，其中所述金属片主要由铜组成。