[发明专利]内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装以及形成内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装的方法

权利要求书

1.一种封装的RF功率器件，包括：

基底；

在所述基底上的晶体管，该晶体管包括控制端子和输出端子并且 被配置成以基本工作频率进行工作；

RF信号输入引线，其耦合到该晶体管的控制端子；

RF信号输出引线，其耦合到该晶体管的输出端子，该RF信号输入 引线和RF信号输出引线被提供在所述基底的相对侧上；

谐波降低器，其耦合到该晶体管的输出端子并且被配置成为基本 工作频率的N次谐波频率处的信号提供从控制端子和/或输出端子到地 的短路或低阻抗路径，其中N＞1，其中所述谐波降低器包括串联谐振电 路，所述串联谐振电路包括串联连接到地端子的电感元件和旁路电容 器，其中该旁路电容器在所述晶体管和所述RF信号输出引线之间的基 底上，且其中所述电感元件包括从所述晶体管延伸到所述旁路电容器 的接合线；以及

封装，其容纳所述晶体管和谐波降低器，并且所述RF信号输入引 线和RF信号输出引线从该封装延伸。

2.权利要求1的封装的RF功率器件，其中所述谐波降低器包括 输出侧谐波降低器，该器件还包括输入侧谐波降低器，其中所述输入 侧谐波降低器包括具有第一电容的第一电容器，所述输出侧谐波降低 器包括具有与第一电容不同的第二电容的第二电容器。

3.权利要求2的封装的RF功率器件，还包括在RF信号输入引线 和晶体管的控制端子之间的输入匹配电路，其中所述输入侧谐波降低 器耦合在输入匹配电路和晶体管的控制端子之间。

4.权利要求1的封装的RF功率器件，还包括在RF信号输出引线 和晶体管的输出端子之间的输出匹配电路，其中所述谐波降低器耦合 在输出匹配电路和晶体管的输出端子之间。

5.权利要求1的封装的RF功率器件，还包括在RF信号输出引线 和晶体管的输出端子之间的输出匹配电路和/或在RF信号输入引线和 晶体管的控制端子之间的输入匹配电路。

6.权利要求1的封装的RF功率器件，还包括在该旁路电容器上 从晶体管延伸到RF输出引线的第二接合线。

7.权利要求1的封装的RF功率器件，其中所述谐波降低器包括 开路四分之一波长传输线抽头。

8.权利要求7的封装的RF功率器件，其中所述开路四分之一波 长传输线抽头的长度被选择成为基本工作频率的谐波频率处的信号提 供到地的短路或低阻抗路径。

9.权利要求1的封装的RF功率器件，其中基本工作频率的谐波 频率包括基本工作频率的二次谐波频率。

10.权利要求1的封装的RF功率器件，其中所述晶体管包括第一 晶体管并且所述谐波降低器包括第一谐波降低器，所述封装还包括：

第二晶体管，其包括控制端子和输出端子并且被配置成以基本工 作频率进行工作，其中RF信号输入引线耦合到第二晶体管的控制端子， RF信号输出引线耦合到第二晶体管的输出端子；以及

第二谐波降低器，其耦合到第二晶体管的控制端子和/或输出端子 并且被配置成为基本工作频率的谐波频率处的信号提供从第二晶体管 的控制端子和/或输出端子到地的短路或低阻抗路径；

其中所述封装还容纳第二晶体管和第二谐波降低器。