[发明专利]薄膜的形成方法、有机电致发光元件的制造方法、半导体元件的制造方法及光学元件的制造方法无效
| 申请号： | 200880104014.0 | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101785363A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 伊藤范人 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 有机 电致发光 元件 制造 半导体 光学 | ||
1.一种薄膜的形成方法，其特征在于，是将含有薄膜形成材料的液状材料涂布在基板上而于规定的区域形成薄膜的方法，包括：
对所述基板进行疏液处理的工序；
在所述基板的经疏液处理的面图案化形成衬底层的工序，所述衬底层对于所述液状材料比所述经疏液处理的面更具有亲液性；以及
在所述衬底层上涂布所述液状材料并使之干燥的工序。
2.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其中，
在图案化形成所述衬底层的工序中，利用干式方法形成所述衬底层。
3.如权利要求1或2所述的薄膜的形成方法，其中，
所述衬底层为由金属的氧化物或金属的复合氧化物构成的层。
4.如权利要求3所述的薄膜的形成方法，其中，
形成所述衬底层的金属的氧化物或金属的复合氧化物为氧化钒、氧化钼、氧化钌、氧化铝、氧化镍、钛酸钡、钛酸锶中的任一种。
5.如权利要求1或2所述的薄膜的形成方法，其中，
所述衬底层为由不溶于所述液状材料的有机物构成的层。
6.如权利要求1～5中任一项所述的薄膜的形成方法，其中，
在图案化形成所述衬底层的工序中，将所述衬底层的端部形成为正锥形形状。
7.如权利要求1～6中任一项所述的薄膜的形成方法，其中，
在图案化形成所述衬底层的工序中，在与所述薄膜的规定区域相同的区域形成所述衬底层的图案。
8.如权利要求1～7中任一项所述的薄膜的形成方法，其中，
在图案化形成所述衬底层的工序中，在被绝缘性材料区隔的导电性材料上形成所述衬底层的图案。
9.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其中，
所述疏液处理为含有氟系气体的真空等离子体处理、含有氟系气体的大气压等离子体处理、或在所述基板上涂布具有疏液性的材料的处理中的任一种。
10.如权利要求1～9中任一项所述的薄膜的形成方法，其中，
使用相同的液状材料重复多次进行涂布所述液状材料并使之干燥的工序。
11.如权利要求1～9中任一项所述的薄膜的形成方法，其中，
使用不同的液状材料重复多次进行涂布所述液状材料并使之干燥的工序。
12.一种使用权利要求1～11中任一项所述的薄膜的形成方法来制造有机电致发光元件的方法。
13.一种使用权利要求1～11中任一项所述的薄膜的形成方法来制造半导体元件的方法。
14.一种使用权利要求1～11中任一项所述的薄膜的形成方法来制造光学元件的方法。
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