[发明专利]低阻抗晶圆穿孔

权利要求书

1.一种晶圆(3)，其包括从所述晶圆(3)的上侧(4)延 伸到下侧(5)的晶圆穿孔(7)，其中，所述晶圆穿孔(7)包 括晶圆通路孔(9)，所述晶圆通路孔(9)的侧壁(11)至少部 分地覆盖有第一导电涂层(25)，所述晶圆(3)的特征在于， 所述晶圆通路孔(9)至少包括具有大致竖直的侧壁(16)的第 一部分(13)和形成缩颈(23)的第二部分(14)，该缩颈(23) 至少具有在所述晶圆通路孔(9)中朝向所述上侧变宽的上倾斜 侧壁(20)。

2.根据权利要求1所述的晶圆(3)，其特征在于，所述第 二部分(14)被配置在所述侧壁(11)的所述第一部分(13) 和第三部分(15)之间，所述第三部分(15)具有大致竖直的 侧壁(17)。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆(3)，其特征在于，所述 缩颈(23)还包括朝向所述下侧(5)变宽的下倾斜侧壁(21)。

4.根据权利要求3所述的晶圆(3)，其特征在于，所述缩 颈(23)的所述上倾斜侧壁(20)和所述下倾斜侧壁(21)的 相交部位(22)为圆滑化的。

5.根据权利要求1所述的晶圆(3)，其特征在于，所述晶 圆(3)包括晶体半导体材料。

6.根据权利要求1所述的晶圆(3)，其特征在于，所述晶 圆(3)是由玻璃陶瓷制成的。

7.根据权利要求1所述的晶圆(3)，其特征在于，第二导 电涂层(26)至少部分地覆盖所述第一导电涂层(25)。

8.根据权利要求1所述的晶圆(3)，其特征在于，所述晶 圆(3)包括多个晶圆穿孔(7)，其中的至少一个晶圆穿孔(7) 被封堵，且至少一个晶圆穿孔(7)是通的。

9.根据权利要求1所述的晶圆(3)，其特征在于，所述晶 圆(3)包括沿着线(46)顺次配置的至少两组晶圆穿孔(47， 48)，每一组中的每个晶圆穿孔相对于前一个晶圆穿孔以阶梯的 方式远离所述线移位。

10.一种电子器件，其包括根据权利要求1所述的晶圆(3)。

11.根据权利要求10所述的电子器件(1)，其特征在于， 所述电子器件包括一摞晶圆(3)，每个晶圆(3)均包括连接至 相邻晶圆(3)的晶圆穿孔的晶圆穿孔(7)。

12.一种晶圆(3)的制造方法，所述晶圆(3)包括从所 述晶圆(3)的上侧(4)延伸到下侧(5)的晶圆穿孔(7)，其 中，所述晶圆穿孔(7)包括具有侧壁(11)的晶圆通路孔(9)， 所述晶圆通路孔(9)的至少第一部分(13)具有大致竖直的侧 壁(16)，所述晶圆通路孔(9)的第二部分(14)在所述晶圆 通路孔(9)中限定缩颈(23)，所述方法的特征在于，所述方 法包括以下步骤：

-限定步骤，即在所述晶圆(3)中限定第一倾斜侧壁(18)；

-形成步骤，即形成所述晶圆通路孔(9)，从而，由所述第 一倾斜壁(18)形成所述缩颈(23)的上倾斜侧壁(20)；以及

-沉积步骤，即在所述晶圆通路孔(9)的所述侧壁(11) 上沉积至少第一导电涂层(25)。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法 还包括在所述晶圆(3)中限定第二倾斜侧壁(19)的步骤，从 而，在所述形成步骤中，由所述第二倾斜侧壁(19)形成所述 缩颈(23)的下倾斜侧壁(21)。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述 晶圆通路孔(9)的步骤包括各向异性蚀刻步骤。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述限定 步骤包括通过蚀刻形成第一凹部(28)的步骤，该第一凹部(28) 包括位于所述晶圆(3)的所述上侧(4)的所述第一倾斜侧壁 (18)。