[发明专利]可控光学元件以及用热致动器操作光学元件的方法和半导体光刻的投射曝光设备有效

专利信息
申请号: 200880104142.5 申请日: 2008-05-06
公开(公告)号: CN101784954A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 马库斯·豪夫;乌尔里克·舍恩霍夫;帕亚姆·泰耶巴蒂;迈克尔·蒂尔;蒂尔曼·海尔;奥利·弗吕格;阿里夫·卡齐;亚历山大·索尔霍弗;格哈德·福赫特;约琴·韦伯;托拉尔夫·格鲁纳;阿克赛尔·戈纳迈耶;德克·赫尔韦格 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT股份公司
主分类号: G02F7/00 分类号: G02F7/00;G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 可控 光学 元件 以及 用热致动器 操作 方法 半导体 光刻 投射 曝光 设备
【权利要求书】:

1.一种用于影响光学校正装置(203,600)中的温度分布的方法,包括:以局部界定方式向该光学校正装置(203,600)提供热并通过热沉(204,602,604)将热从该光学校正装置(203,600)取出,其特征在于,该光学校正装置(203,600)的平均温度在数百mK内保持恒定, 

其中,所述光学校正装置包括叠置的两个光学元件(601),从而所述两个光学元件(601)的两个内面形成冷却介质流(602)的流动通道(604),其中所述流动通道(604)包括用于供所述冷却介质流(602)通过的入口和出口; 

所述以局部界定方式向该光学校正装置提供热包括在面向流动通道(604)的界面上利用加热阵列作为应用到所述光学元件(601)上的热致动器而向所述光学元件(601)提供热;并且 

所述通过热沉(204,602,604)将热从光学校正装置取出包括使冷却介质流(602)经过所述流动通道(604)。 

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,选择比所述光学校正装置(203,600)的平均温度低数百mK至数10K的所述热沉(204,602,604)的恒定平均温度。 

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使用电阻加热元件来局部界定热的提供。 

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过闭环或开环控制(211)影响所述光学校正装置(203,600)中的温度分布。 

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过闭环或开环控制(211)影响所述光学校正装置(203,600)中的平均温度。 

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热沉(204)被实现以使其从所述光学校正装置(203,600)机械地解耦。 

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述热沉(204)从所述光学校正装置(203,600)振动解耦。 

8.如权利要求1至7之一所述的方法,其特征在于,所述光学校正装置(203,600)是透镜。 

9.具有影响光学校正装置(208、600)中的温度分布的热致动器(205) 的光学校正装置(208、600),其中,所述光学校正装置(208、600)由至少两个就其传输热的能力而言有差异的局部元件(201、202、604), 

其特征在于,所述光学校正装置包括叠置的两个光学元件(601),从而光学元件(601)的两个内面形成冷却介质流的流动通道(604),其中所述流动通道(604)包括用于供所述冷却介质流(602)通过的入口和出口;并且 

在面向流动通道(604)的界面上,加热阵列用作应用到所述光学元件(601)上的热致动器。 

10.如权利要求9所述的光学校正装置(600),其特征在于,所述两个光学元件(601)形成为具有两个平面的内面的平面平行板。 

11.如权利要求9所述的光学校正装置(600),其特征在于,所述热致动器包括具有非常精细的线的加热区(101)的加热阵列,其中,每一单个加热区(101)的加热电流能够被单独设置。 

12.如权利要求11所述的光学校正装置(600),其特征在于,选择加热阵列的尺寸,以使得相关光学区域能够完全用加热区覆盖。 

13.如权利要求11所述的光学校正装置(600),其特征在于,所述相关光学区域之外的区域被加热区覆盖。 

14.如权利要求11至13之一所述的光学校正装置(600),其特征在于,每一加热区均配备有一温度传感器(606)。 

15.如权利要求14所述的光学校正装置(600),其特征在于,所述温度传感器(606)布置在相比加热区减少的或稀疏的栅格上。 

16.如权利要求9所述的光学校正装置(600),其特征在于,其包括在提供冷却流(602)的流动方向位于所述光学元件(601)上游的入口通道(608)。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT股份公司,未经卡尔蔡司SMT股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880104142.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top