[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，取向控制层由两层以上构成，包含从基板侧起的种子层、中间层，种子层为非晶结构，中间层材料相对于种子层材料的接触角在10度～100度的范围内。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述中间层的至少一层采取六方最密结构或面心立方结构，并且其晶粒利用氧化物、氮化物或空隙与周围的晶粒分离着。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述中间层的至少一层利用采取六方最密结构的晶粒和由选自Al、B、Bi、Ca、Cr、Fe、Hf、Mg、Mo、Nb、Ru、Si、Ta、Ti、W或Zr中的至少一种元素的氧化物形成的晶界形成了颗粒结构。

4.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述种子层具有在空间群中被分类为体心立方结构的组成，并且在10nm的薄膜区域中是非晶结构。

5.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述种子层的膜厚为0.5nm～10nm的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述中间层的平均晶体粒径为1nm～7nm的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述种子层是含有Cr和Mn的合金材料，Cr的含有率为30原子％～70原子％的范围内。

8.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述种子层是含有Cr和Ti的合金材料，Cr的含有率为30原子％～75原子％的范围内。

9.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述种子层是含有Cr和Fe的合金材料，Cr的含有率为35原子％～65原子％的范围内。

10.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述种子层是含有Ta的合金材料，Ta的含有率为70原子％以上。

11.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述中间层的至少一层由Ru、Re或其合金材料形成，并具有六方最密结构。

12.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述中间层的至少一层，以具有面心立方结构的元素群中的至少一种为主成分，由其与选自具有体心立方结构的元素群中的元素的合金材料形成，同时具有进行(111)晶面取向的晶体结构和由面心立方结构与体心立方结构的混合所引起的层状不规整晶格(层积缺陷)。

13.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述中间层的至少一层，以具有面心立方结构的元素群中的至少一种为主成分，由其与选自具有六方最密结构的元素群中的元素的合金材料形成，同时具有进行(111)晶面取向的晶体结构和由面心立方结构与六方最密结构的混合所引起的层状不规整晶格(层积缺陷)。

14.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层的至少一层采取由铁磁性的晶粒和非磁性的氧化物晶界构成的颗粒结构。

15.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，构成所述衬里层的软磁性膜为非晶结构。

16.一种磁记录再生装置，是具有磁记录介质和在该磁记录介质上记录再生信息的磁头的磁记录再生装置，其特征在于，磁记录介质是权利要求1或2所述的磁记录介质。