[发明专利]太阳能电池的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880104843.9 申请日: 2008-09-17
公开(公告)号: CN101790796A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 高桥明久;石桥晓;杉浦功;高泽悟 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;C23C14/08;C23C14/35
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 罗正云;王琦
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池包括:在设置于光入射侧的相反侧并作为功率取出电极发挥作用的背面电极与光伏电池之间配置的缓冲层、或者在多个光伏电池之间配置的中间电极,

所述中间电极或者所述缓冲层由以氧化锌为基本构成元素的透明导电膜构成,其特征在于,

所述太阳能电池的制造方法包括:对包含所述透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压的同时,使所述靶的表面产生水平磁场来进行溅射,从而形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤,

在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中,将所述溅射电压设为340伏以下来进行溅射。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其中,

在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中,将所述靶的表面上的所述水平磁场的强度的最大值设为600高斯以上来进行溅射。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其中,

在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中,在导入氧气或者含有氧原子的气体的同时,进行溅射。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其中,

使所述靶的表面产生所述水平磁场的磁场产生单元包括:沿着所述靶的背面配置的第一极性的第一磁铁以及第二极性的第二磁铁,

所述第二磁铁以包围所述第一磁铁的方式配置。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其中,

在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中,在改变使所述靶的表面产生所述水平磁场的磁场产生单元与所述靶的相对位置的同时,进行溅射。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其中,

在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中,在改变形成所述中间电极或者所述缓冲层的基板与所述靶的相对位置的同时,进行溅射。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其中,

并用直流电源和高频电源来施加所述溅射电压。

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