[发明专利]包括功率半导体管芯和热沉的子组件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体组件，包括：

i.第一子组件，包括：

热沉；

第一构图聚合物层，所述第一构图聚合物层设置在所述热沉 的表面上，以限定第一表面的暴露部分，所述第一表面的暴露部分从 所述第一构图聚合物层沿着所述热沉表面径向向内延伸；

第二构图聚合物层，所述第二构图聚合物层设置在所述第一 构图聚合物层的径向靠外的部分上，所述第一构图聚合物层和所述第 二构图聚合物层限定了用于容纳功率半导体管芯的单元；

ii.焊料材料，所述焊料材料设置在所述热沉表面的暴露部上和所 述单元中；以及

iii.功率半导体管芯，所述功率半导体管芯位于所述第一构图聚合 物层的径向向内的部分上的单元内，并且通过所述焊料材料热耦合到 所述热沉。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，还包括：

半导体封装，所述第一子组件、焊料和管芯位于所述半导体封装 中。

3.根据权利要求2所述的半导体组件，其中，

所述半导体封装是芯片级封装。

4.根据权利要求1所述的半导体组件，其中所述第一构图聚合物 层和所述第二构图聚合物层中的至少一个包括：聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的半导体组件，其中，

所述功率半导体管芯具有给定形状的占用面积，以及所述第一构 图聚合物层与所述给定形状相符。

6.根据权利要求1所述的半导体组件，还包括第二子组件，所述 第二子组件包括：

第二热沉；

第三构图聚合物层，所述第三构图聚合物层设置在所述热沉的表 面上，以限定所述表面的暴露部分，所述表面的暴露部分从所述第三 构图聚合物层沿着所述第二热沉的表面径向向内延伸；

第四构图聚合物层，所述第四构图聚合物层设置在所述第三构图 聚合物层的径向靠外的部分上，所述第三构图聚合物层和所述第四构 图聚合物层限定了用于容纳功率半导体管芯的单元；

第二焊料材料，所述第二焊料材料设置在所述第二热沉表面的暴 露部分上，以及

其中，所述功率半导体管芯还位于所述第三构图聚合物层的径向 向内的部分上的单元内、并且通过所述第二焊料材料热耦合到所述第 二热沉。

7.一种半导体组件，包括：

热沉；

第一构图聚合物层，所述第一构图聚合物层设置在所述热沉 的表面上，以限定所述第一表面的暴露部分，所述第一表面的暴露部 分从所述第一构图聚合物层沿着所述热沉表面径向向内延伸；

焊料材料，所述焊料材料设置在所述热沉表面的暴露部分上； 以及

功率半导体管芯，所述功率半导体管芯位于所述第一构图聚合物 层上、并且通过所述焊料材料热耦合到所述热沉。

8.根据权利要求7所述的半导体组件，还包括：

半导体封装，所述热沉、第一构图聚合物层、焊料和管芯位于所 述半导体封装中。

9.根据权利要求8所述的半导体组件，其中，

所述半导体封装是芯片级封装。

10.根据权利要求7所述的半导体组件，其中，

所述功率半导体管芯具有给定形状的占用面积，以及所述第一构 图聚合物层与所述给定形状相符。