[发明专利]包括功率半导体管芯和具有暴露表面部分的热沉的子组件有效
申请号: | 200880104978.5 | 申请日: | 2008-07-09 |
公开(公告)号: | CN101796634A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 江挽澜;林光汉;彭智平 | 申请(专利权)人: | 威世通用半导体公司 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 关兆辉;谢丽娜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 功率 半导体 管芯 具有 暴露 表面 部分 组件 | ||
1.一种半导体组件,包括:
第一子组件,所述第一子组件包括第一热沉;
焊料材料,所述焊料材料设置在所述第一热沉的第一表面的暴露 部分上;以及
功率半导体管芯,所述功率半导体管芯位于所述第一热沉的第一 表面上、并且通过所述焊料材料与其热耦合;
封装构图聚合物层,所述封装构图聚合物层仅设置在所述第一热 沉的与所述第一表面相对的第二表面上、并且限定了所述第一热沉的 内表面部分;半导体封装,所述第一子组件、焊料材料和管芯位于所 述半导体封装中,使得所述第一热沉的第二表面的内表面部分没有被 所述半导体封装包围;
第一构图聚合物层,所述第一构图聚合物层设置在所述第一热沉 的第一表面上,以限定所述第一表面的暴露部分,所述第一表面的暴 露部分从所述第一构图聚合物层沿着所述第一热沉表面径向向内延 伸;以及
第二构图聚合物层,所述第二构图聚合物层设置在所述第一构图 聚合物层的径向靠外的部分上,所述第一构图聚合物层和所述第二构 图聚合物层限定了用于容纳所述功率半导体管芯的单元,其中,所述 第一构图聚合物层限定了其中可以放置有焊料的单元的侧壁,在所述 第一构图聚合物层上方形成所述第二构图聚合物层,所述第二构图聚 合物层限定了其中要放置功率半导体管芯的边界,所述第一构图聚合 物层的暴露部分限定了最终在其上可以安装功率半导体管芯的表面。
2.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述半导体封装是 芯片级封装。
3.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述封装构图聚合 物层包括:聚酰亚胺。
4.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述功率半导体管 芯具有给定形状的占用面积,以及所述第一构图聚合物层与所述给定 形状相符。
5.根据权利要求1所述的半导体组件,还包括第二子组件,所述 第二子组件包括:
第二热沉;
第三构图聚合物层,所述第三构图聚合物层设置在所述第二热沉 的第一表面上,以限定所述第一表面的暴露部分,所述第一表面的暴 露部分从所述第三构图聚合物层沿着所述第二热沉表面径向向内延 伸;
第四构图聚合物层,所述第四构图聚合物层设置在所述第三构图 聚合物层的径向靠外的部分上,所述第三构图聚合物层和所述第四构 图聚合物层限定了用于容纳所述功率半导体管芯的单元;
第二焊料材料,所述第二焊料材料设置在所述第二热沉表面的暴 露部分上;
其中,所述功率半导体管芯还位于所述第三构图聚合物层的径向 向内的部分上的单元内、并且通过所述第二焊料材料热耦合到所述第 二热沉;
第二封装构图聚合物层,所述第二封装构图聚合物层设置在所述 第二热沉的与所述第一表面相对的第二表面上、并且限定了所述第二 热沉的第二表面的内表面部分,以及
其中,所述半导体封装还包围所述第二子组件,使得所述第二热 沉的第二表面的内表面部分没有被所述半导体封装包围。
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